ch031第三章逻辑门电路概述.ppt

3 逻辑门电路;教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。;3.1 MOS逻辑门;1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。;1.CMOS集成电路: CMOS集成电路是在TTL电路之后出现的一种数字集成器件。由于制造工艺的不断改进，CMOS电路已成为占主导地位的逻辑器件，其工作速度已经赶上甚至超过TTL电路，它的功耗和抗干扰能力则优于TTL，且费用较低，因此广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路。; 74系列; ECL也是一种双极型数字集成电路，其基本器件是差分对管。饱和型的TTL电路中，晶体三极管作为开关在饱和区和截止区切换，其退出饱和区需要的时间较长。而ECL电路中晶体???极管不工作在饱和区，因此工作速度极高。但是ECL器件功耗比较高，不适合制成大规模集成电路，因此不像CMOS或TTL系列被广泛应用。ECL电路主要用于高速或超高速数字系统或设备中。 砷化镓是继锗和硅之后发展起来的新一代半导体材料。由于砷化镓器件中载流子的迁移能力非常高，因而其工作速度比硅器件快得多，并且具有功耗低和抗辐射的特点，已成为光纤通信、移动通信以及全球定位系统等应用的首选电路。;3.1.2 逻辑门电路的一般特性;VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。;类型 参数; 通常输出波形下降沿、上升沿的中点与输入波形对应沿中点之间的时间间隔，分别用tpLH和tpHL表示，由于CMOS门电路输出级的互补对称性，其tpLH和tpHL相等。有时也用平均传输延迟时间这一参数，即tpd=(tpLH+tpHL)/2。;4. 功耗;5. 延时?功耗积 ;扇入数：取决于逻辑门的输入端的个数。; ;(2) 灌电流工作情况; 一般逻辑器件的数据手册(datasheet)中，并不给出扇出数，而必须用计算或用实验的方法求得，并注意在设计时留有余地，以保证数字电路或系统能正常的运行。在实际的工程设计中，如果输出高电平电流IOH与输出低电平电流IOL不相等，则 ，常取二者中的最小值。 对于CMOS门电路扇出数的计算分两种情况，一种是带CMOS负载，另一种是带TTL负载。负载类型不同，数据手册中给出的IOH和IOL也不同。;电路类型;3.1.3 MOS开关及其等效电路;: MOS管截止， 输出高电平。;由此可见，MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。;图3.1.7 MOS管的开关电路波形;3.1.4 CMOS 反相器;;P沟道MOS管输出特性曲线坐标变换;2. 电压传输特性和电流传输特性;3. 工作速度;A B;或非门;3. 异或门电路;4.输入、输出保护电路和缓冲电路;（1）输入端保护电路:;（2）CMOS逻辑门的缓冲电路;1.CMOS漏极开路门;（2）漏极开路门的结构与逻辑符号;(3) 上拉电阻对OD门动态性能的影响;最不利的情况： 只有一个 OD门导通，;当VO=VOH;2.三态(TSL)输出门电路;1;3.1.7 CMOS传输门(双向模拟开关) ;2、CMOS传输门电路的工作原理 ; ;传输门组成的数据选择器; CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。; MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程。PMOS管以空穴为载流子，NMOS管以电子为载流子，因此PMOS电路的工作速度比不上NMOS电路，PMOS集成电路已很少使用。 NMOS逻辑门电路全部由N沟道MOS管构成。 1.NMOS反相器 2.NMOS与非门电路 3.NMOS或非门电路;