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硅片等级标准 一、优等品 ?? 1：硅片表面光滑洁净。 ?? 2：TV：220±20μm。 ?? 3：几何尺寸： 边长125±ffice:smarttags /?xml:namespace prefix = st1 ns = urn:schemas-microsoft-com[img][/img]0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm； 边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。 ?? 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。 ?? 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。??? 二、合格品?? ?? 一级品：? ?? 1：表面有少许污渍、轻微线痕。 ?? 2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。 ?? 3：几何尺寸： 边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm； 边长103±0.5mm、对角135±0.5mm； 边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。 ?? 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。 ?? 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。??? ?? 二级品：? ?? 1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。 ?? 2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。 ?? 3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。? ?? 4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm ?? 5：几何尺寸： 边长125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm； 边长103±0.52mm、对角135±0.52mm； 边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对角203±0.52mm、200±0.52mm。 ?? 同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。 ?? 垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8。??? ?? 三级品：?? ?? 1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。????? ?? 2：220±40μm ≤TV≤220±60μm。? ?? 3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。??? 三、不合格品? ?? 严重线痕、厚薄片：TV＞220±60μm。 ?? 崩边片：有缺损但可以改Φ103的硅片。 ?? 气孔片：硅片中间有穿孔 。? ?? 外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。 ?? 倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差1.5mm。 ?? 菱形片（垂直度）：任意两边的夹角90°±0.8。 ?? 凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30μm。 ?? 脏? 片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑。 尺寸偏差片：几何尺寸超过二级品的范围。 硅片基本资料 线痕====硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹 崩边=====chip晶???边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘长生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。 污片：用清洗溶剂清洗不能除去的表面脏污 穿孔：在对光源观察时，晶片表面有用针或似用针刺的小孔。 微晶:1CM单位长度上个数超过5个。 隐裂：硅片表面存在不贯穿的隐形裂纹，裂纹宽度大于0.1MM。 翘曲度：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特征。 厚度：通过晶片上已给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。 总厚度变化TTV：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值、 密集型线痕：垂直线横方向每厘米存在5条线痕以上。 电阻率：单位体积的材料对于两行平行面垂直通过的电流的阻率，符号为P，单位为欧。CM 少数载流子寿命：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数流子浓度衰减到起始值的1/E{E=2.718}所需时间。又称少数载流子寿命，体寿命。 生长方式;DSS 导电型号、掺杂剂：P/BORON 对角线;219.2+-0.5 TTV：小于或等于30UM 线痕：小于或等于20UM 崩边;崩边深度小于或等于0.3MM，长度小于或等于0.5MM，最多2个/片 翘曲度;小于或等于50UM 微晶;单个微晶面积小于3乘以3MM平方，整个微晶区域面积小于3乘以3的平方厘米 表面质量：表面无损失，无污点、无水渍、无污渍、 THICK:平均厚度 THICK.PT:5点厚度 TTVPT：5点平均 SM：线痕 W:波浪 BO：翘曲 CH；小崩边 BR：破裂 H：气孔 硅片生产流程 ???? 简介? 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间