温度探测概述.ppt

前节的热电偶和热电阻分别是利用金属导体的热电效应和热阻效应制成两种热电式传感器。;3.1 热敏电阻的结构形式 ;3.2 热敏电阻的温度特性 ;3.2 热敏电阻的温度特性 ; 图 2.3.2 各种热敏电阻的特性 ; 信号获取原理; 常用的热敏电阻的主要参数如表3.1所示;3.3 传感器非线性处理方法 ; 负温度系数的热敏电阻的阻值与温度的关系可表示为 Rr = Roexp( B ( 1／T-1／T0 )) (2-3-1) 式中Rr，Ro —分别为温度T( K ) 和 T0 ( K )时的阻值； B --热敏电阻的材料常数。一般情况下，B = 2000 ～6000K；在高温下使用时，B值将增大； ; 由式 2-3-1 可知，热敏电阻值随温度变化呈指数规律，也就是说，其非线性十分严重，对热敏电阻进行线性化处理的最简单方法是用温度系数很小的精密电阻与热敏电阻串联或并联构成电阻网络(常称线性化网络)代替单个热敏电阻。其等效电阻与温度呈一定的线性关系。图2.3.3表示了两种最简单的线性化方法。;(a)串联补偿电路 (b)并联补偿电路 ; 图(a)中热敏电阻Rr与补偿电阻rc串联，串联后的等效电阻 R = Rr + rc，只要rc的阻值选择适当，可使温度在某一范围内，与电阻的倒数成线性关系，所以电流I与温度T成线性关系。 图(b)中热敏电阻Rr与补偿电阻rc并联，其等效电阻R＝rcRr/(rc+Rr)， 由图可知，R与温度的关系曲线变得比较平坦，因此可以在某一温度范围内得到线性的输出特性。并联补偿的线性电路常用于电桥测温电路，如图2.3.4所示。 ; 当电桥平衡时，R1=R4，R3=rc∥Rr，电压U=0。这时对应某一个温度T0。当温度变化时，Rr将变化，使得电桥失去平衡，电压U≠0，输出的电压值就对应了变化的温度值。; 软件(程序)法 (计算修正);§4 PN结型温度传感器 ;4.1 温敏二极管 ;二极管(PN结)IF-UF特性曲线; IF = -I s exp(-eUF / k0T) = ABTrexp(-Ego / k0T ) exp(-eUF / k0T ) = B1 T r exp(-(Ego- eUF) / k0T) 2-4-1 ; 从式 2-4-2 可知，二极管的正向电压UF与温度T之间的关系。在一定的正向电流下，其正向电压随温度的升高而降低，故呈现负温度系数。 ; 由半导体理论可知，对于实际的二极管来说，只要它们在PN结空间电荷区中的复合电流和表面漏电流可以忽略，而又未发生在大注入效应的电压和温度范围内，其特性与上述理想二极管是相符合的。经研究表明，对于锗和硅二极管，在相当宽的一个温度范围内， 其正向电压与温度之间的关系与式 2-4-2 是吻合的。 ; 基本特性 —(UF—T)关系 ; 温敏二极管的温度特性只对扩散电流成立，但实际二极管的正向电流除扩散电流成分外，还包括空间电荷区中的复合电流和表面漏电流成分。这两种电流与温度的关系不同于扩散电流与温度的关系，因此，实际二极管的电压—温度特性是偏离理想情况的。 ; 实际研究证明晶体管(三极管)发射结上的正向电压随温度上升而近似线性下降，这种特性与二极管十分相似，但晶体管表现出比二极管更好的线性和互换性。; 由于三极管在发射结正向偏置条件下，虽然发射结也包括上述三种电流成分，但是只有其中的扩散电流成分能够达到集电极形成集电极电流，而另外两种电流成分则作为基极电流漏掉，并不到达集电极。因此，晶体管的IC-UBE关系比二极管的IF-UF关系更符合理想情况，所以表现出更好的电压—温度线性关系。 可以证明，NPN晶体管的基极—发射极电压与温度T和IC的函数关系为: UBE=Ugo-(k0T/e)In(B1Tr/IC ) 2-4-3 其中Ugo=Ego/e 若IC恒定，则UBE仅随温度T成单调单值函数变化。; 基本测温电路 ;图2.4.2 温敏晶体管的基本电路和输出特性;-UBE(V); 集成温度传感器是利用晶体管PN结的电流、电压特性与温度的关系，把感温PN结及有关电子线路集成在一个小硅片上， 构成一个小型化、一体化的专用集成电路片。集成温度传感器具有体积小、反应快、线性好、价格低等优点、抗干扰能力强的优点，对于火灾探测，尤其是一些特殊场所的早期火灾探测具有很大的实际应用价值。但由于PN结受耐热性能和特性范围的限