半导体光电子学第1章半导体中光子电子的概论.ppt

CHHS俄歇复合速率随Eg-Δ的减小而增加。在InGaAsP中随着As含量y的增加（对应激射波长增加），由式 1.6-25 可见，自旋-轨道裂矩Δ也相应增加，所以复合速率增加更大，这是长波半导体激光器遇到的难题。 碰撞电离和俄歇复合都需要一定的激活能才能发生。为产生碰艘电离，依照能量和动量守恒，电子和空穴的动能必须超过禁带宽度而达到某一阈值ET。在室沮下，对 Ge 、Si和 GaAs等所测得的这一阈值动能都在Eg的1.5倍以上。俄歇夏合过程的初态和终态不可能都与能带极值重合，故其动能之和也必须超过一定的阂值（ET-Eg） ，俄歇复合才能发生。阈值能 ET与禁带宽度ET和自旋一轨道裂矩 △ 的关系被表示为 1.7增益系数与电流密度的关系 1.5-25 1.5-24 我们已从量子跃迁速率出发得出了增益系数的表达式，从而对增益系数有了一些定性的了解。 由式 1.5-24 可以看到，一旦在半导体材料中出现了粒子数反转，即满足fc＞fv，则在半导体材料中就有正的增益 或负的吸收 ，受激发射速率将大于受激吸收速率。 但是，粒子数反转条件是靠外加注入电流来实现的，因此，增益系数并不是半导体材料本身的属性。 原则上，增益系数与电流密度的关系可以通过求解式 l.5-24 关于增益系数的积分来得到。但实际上，要比较精确地得到在积分式中出现的有关态密度?c和?v、爱因斯坦系数B21是因难的。 为了把宏观电流密度与半导体中的微观光子增益过程联系起来，可以用一些更熟悉的参数对增益系数作出半经验但又符合实际的定量估计。 注入的载流子在浓度梯度方向上会发生扩散，在扩散长度以内的载流子在直接带隙材料中将以较大的速率产生受激的或自发的辐射复合； 也有部分载流子不可避免地消耗在非辐射复合之中，如载流子与表面态、异质结界面态的复合和俄歇复合；在异质结激光器或发光二极管的有源区中的注入载流于还有部分越过异质结势垒而泄漏。 与辐射复合相比，消耗在非辐射复合和泄漏方面的载流于所占比例较小。如忽略这些损耗，就可将描述载流子变化速率的方程简单地表示为 载流子变化速率方程 n ——·注入的载流子浓度，Rr n ——辐射复合速率，d —— 有源层厚度， J —— 注入电流密度。 名义电流密度Jnom :是在厚度d 1?m的有源层内全部用来产生辐射复合所需的电流密度 量子效率为1的电流密度 。 Jn的单位为A/cm2·?m 。 稳态情况下 载流子变化速率方程 此时注入的载流子全用来产生辐射复合，这时量子效率为1，即每注入一电子一空穴对，就辐射出一个光子。 1.7-1 1.7-2 名义电流密度与实际电流密度的关系： 当注入电流由零开始增加时，所注入的载流子也同时增加，并用来产生自发辐射复合。随着注入载流子浓度的增加，并达到粒子数反转条件Fc - Fv≥ Eg时，也有少量注入载流子将产生受激辐射复合，但与自发发射复合相比，这部分载流子所占比例是很小的。当注入载流子浓度进一步增加，使粒子数反转达到达到光子增益与其损耗相抗衡的某一阔值以后，这时所注入的电流除用来维持自发辐射外，更主要是用来产生受激辐射，这时总的电流 其中 Isp与Ist分别为产生自发辐射与受激辐射的电流． 这样，式 1.7-2 表示的电流密度在达到阈值Jth以前可以近似表示为 1.7-3 rsp为单位体积、单位能量间隔的自发辐射速率， 从图1.7-2看到，增益系数从某一电流密度Jt开始为正值，此时在增益介质中已经形成粒子数反转。此后，随着电流密度的增加，介质的增益系数相应地增加。当电流密度达到某一阈值Jth时，由子增益饱和效应致使增益系数不再随电流密度发生大的变化，而使增益系数被“钳制”在阈值增益处，对于不处于振荡状态的光子（如在 LED 有源区中的光子），增益系数按图中虚线随电流密度变化． gmax＜100cm-1 50cm-1≤gmax≤400 cm-1 , , , 峰值增益与电流密度之间的关系可拟合成下面的线性关系： Jt是增益曲线在电流密度坐标上的截距，对应于刚好满足粒子数反转条件Fc-Fv h?或增益恰好为正值时的电流密度。 系数A无明显的物理意义，只是代表某一温度下增益与电流密度关系曲线的斜率 1.7-11 4. 对于自发发射跃迁几率记作A21，就是 载流子的寿命的倒数，是单位时间内跃迁的百分比。量纲为t-1。自发发射跃迁速率与A21成正比。 对于受激吸收和受激发射的情况存在光子参与，定义B21、B12分别为发射和吸收的光子电子互作用系数（跃迁几率系数），跃迁速率应正比于互作用系数，单位为[能量×体积/时间]。 B21、B12与P E 相乘与A21有同样的量纲。 P E 表示的单位体积单位能量间隔的光子数，量纲为V-1E-1 因此B21、B12的量纲应该为VEt-1