西电微波技术基础Ch18.ppt

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西电微波技术基础Ch18

第18章;一、S散射参数 ; 在本讲中,首先定义出入射波和散射波(a和b)。其中,散射波是广义的(理论上可以任意方向)反射波。 ; 我们把上式中的 称为归一化电压, 称为归一化电流分别用u 和i表示。 则进一步写出 ; 功率 后一项的实部显然等于0,于是可见 物理意义是功率等于入射功率减去散射功率。 ;1. S 散射矩阵定义 S散射矩阵与A矩阵有两点显著不同:一是S散射矩阵适合多端口(当然也满足双端口)网络;二是,象任何多端口网络一样,它必须是对称化定义(具体是流进每个端口的均是a,流出每个端口的均是b) ;图 18-1 散射矩阵 ;(18-7);2. S散射参数性质 ·网络对称时Sii=Sjj (18-8) ·网络互易时Sij=Sji (18-9) ·网络无耗时[I]-[S]+[S]=0 (18-10) 其中[I]——n阶单位矩阵 ; [ ]+——Hermite 符号,表示共轭转置或转置共轭[ ]+=[ *]T=([ ]T)* [证明]无耗条件具体为 p=0, 或 aa*-bb*=0 假如对于双口网络 ;于是,把多口网络的无耗条件写成 即 考虑到[a]激励的任意性,可知 ;对于双口网络,输入反射系数Гin和负载反射系数ГL有关系 [证明]注意到Гin和ГL的不对称性;图 18-2 双口网络散射参数[S] ;且写出双口网络的[S]参数 由上式中①得到 又从上式②可知 ;代入可得 3. 物理意义 还以双口网络为例 它表示端口2匹配时,端口1的反射系数。 ;它表示端口1匹配时,由端口2到端口1的传输系数。 4. 与[A]参数之间的关系 我们讨论归一化电流电压构成的[A]参数 ;图 18-3 双口网络的归一化[A]参数;很明显,A参数是不对称定义。 ;写成矩阵形式 ;这样 ; 所谓单口元件,也就是向外只有一个端口,它是作为负载来应用的。作为网络它只须用一个反射系数ΓL来表示 。 ;这里着重讨论三种:匹配负载 短路负载 失配负载 这三种单口元件所要解决的主要矛盾各不相同。 匹配负载——解决波反射和吸收两者之间的矛盾; 短路负载——解决理想短路和活动间隙之间的矛盾; 失配负载——解决宽带和反射系数变化之间的矛盾。 ;三、匹配负载 ;功率;匹配负载可以采用S参数进行分析,实际上任何负载都可以认为是双口网络接终端——例如短路 ;已经知道 终接短路 ΓL=-1,且要求 Γin=0 ;宽带型 case 1 ; 不论是宽带型还是抵消型的,均存在反射S11和吸收 之间的矛盾,要减少反射,必须S11↓,要增加吸收,S12S21↓,但是S12S21的减少必须会增加S11(材料特性阻抗突变)。 ? ;图 18-6 磁流体发电 Waveguide ; 采取的措施是外形渐变(劈形、楔形),材料的Z0不能过大。 Note:如果我们限于讨论电损耗,那么首先必须有σ才会有损耗。 σ成份愈大则损耗愈大,从这个意义上,理想导体损耗最大。 但是,问题在于波入射到理想导体全部反射了,根本没有进去。这正体现了反射和损耗之间的矛盾。 ; 讲到这里,不禁想起一则轶事。一位年青人向Einstein自荐一项发明,有一种液体碰上什么物质都会将其腐蚀。Einstein反问这位青年:哪么,这种物质应该用什么“瓶子”来装呢? 但是,科学的进展表明,这种事情是可能发生的。几千万度的磁流体-真可谓遇到什么物质都能腐蚀。但是它们可以处在磁线N,S之间,什么都不碰。 事实上,电磁波在波导中是高损耗材料,可是波象一只飞???的海燕,它对于波导是“擦翼而过”,而不会沾上海洋的水滴。 ;三、短路活塞;考虑典型的平板活塞,计及宽边a的两侧是电场零点,只需考虑旁边Δ的影响。;图 18-9 平板活塞网络 ;考虑简化情况,令l→0 ;B;·若具体是X - band(3cm波段),b=10mm ·驻波比?随?/b增加很慢,?/b小10倍,?只大1倍。 ·平板活塞很短时,即l↓,则变压器匝数n不是主要矛盾而B是。但B的对数关系决定变化很慢。 ·由此可见,要求?=100很难用平板活塞做到。解决的办法是扼流活塞或用滤波器设计糖葫芦短路活塞。;图 18-10 扼流活塞 糖葫芦活塞 ;四、失配负载;a×b=

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