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第五章 几种新型薄膜材料及应用 ;5.1 铁电薄膜材料及其应用 ;图5-1 铁电体电滞回线示意图 ;;;;5.1.2 铁电薄膜及其制备技术的发展;项目;5.2 电介质薄膜及应用 ;;;;;2、氧化物电介质薄膜的应用;;5.3 透明导电氧化物（TCO）薄膜及应用 ;5.3.1 透明导电薄膜的种类与特性;透 明 导 电 材 料;;;;5.3.2 透明导电薄膜制备方法 （1）玻璃衬底上制备透明导电薄膜 透明导电膜的制作方法有：喷雾法、涂覆法、浸渍法、化学气相沉积法、真空蒸镀法、溅射法等。下面就几种主要方法进行简单介绍。 ①喷雾法（喷涂法） 将清洗干净的玻璃放在炉内，加热到500～700℃后，用氯化锡（SnCl4）溶于水或在有机溶剂中形成的溶液均匀喷涂在玻璃衬底表面上，形成一定厚度的薄膜。即，喷涂法将SnCl4的水溶液或有机溶液喷涂到500～700℃的玻璃衬底上，经过SnCl4和H2O的反应生成SnO2薄膜（另一种反应产物HCl被挥发）。衬底温度降到300℃，生成的SnO2薄膜为非晶态，其电阻率急剧升高。;;;;④溅射法 锡掺杂的In2O3(tin-doped indium oxide，简称ITO)薄膜是一种n型半导体材料，它具有较宽的带隙（3.5eV～4.3eV）， 较高的载流子密度（1021cm-3）。另外，ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能，例如高的可见光透过率和电导率，与大部分衬底具有良好的附着性，较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因此，ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中，如LCDs(Liquid Crystal Display)、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs。;;;;;5.3.3 透明导电薄膜的应用;应用领域;5.4 CuInSe2(CIS)薄膜及薄膜太阳能电池;;;;;;5.5 金刚石薄膜;;图5-3 金刚石结构 ;5.5.2 金刚石薄膜的优异特性 人们通常知道金刚石是自然界中最硬的物质，其实，除此之外，金刚石在力学、电学、热学、光学等方面还有许多独特的性质。 （1）力学性能 金刚石具有极优异的力学性能。金刚石薄膜的硬度已基本达到天然金刚石的硬度，加之其低摩擦系数，因此金刚石薄膜是优异的切削刀具、模具的涂镀材料和真空条件下需用的干摩擦材料。现今，用切割的金刚石厚膜制成的镶嵌刀具和金刚石膜涂层刀具已成功地用于切削有色、稀有金属、石墨及复合材料，特别适合汽车、摩托车用高硅铝合金缸体材料的车削加工。金刚石刀具产业随着低成本生产工艺的突破将会得到发展和广泛的应用。 ;力学性能;;电学性能;5.5.3 金刚石薄膜的制备方法;等离子体增强沉积方法经常引入频率为2450MHz的微波产生等离子体，使H2气和少量（0.1%～2.0%）碳氢化物（CH4，C2H4或C2H2）高度分解和电离，例如它可以25%氢成为原子态。这种方法不需要电极，避免了热丝方法中的灯丝变脆问题。它还便于对衬底独立加热，便于对沉积过程进行原位观测。此方法产生的等离子体还可以用磁场约束在衬底附近，以避免原子氢对容器石英窗口的侵蚀以及碳在窗口的沉积。建立轴向磁场还可以在衬底附近实现电子回旋共振条件，使集中在衬底附近的等离子体中的电子获得较高的能量。衬底温度一般为1100～1300K，H2气压一般为40～100Torr，碳氢化合物含量一般是0.2%～5.0%，生长速率一般是1～5mm/h。;;;;实验装置如图所示，反应室由石英玻璃制成，用一对W电极作为弧光放电的阴极和阳极，弧光放电电流为4～5A，放电电压为200～300V。混合气体CH4和H4的流量比0.5%和1%，气体总流量为300ml/min。反应室气压为（2.4～2.7）×104Pa。衬底用水冷却，温度控制在800～1000℃。衬底分别用（100）、（111）面的Si单晶和Mo片。;;;;其工作原理是由矩形波导管向圆筒形谐振腔（放电室）输入2.45GHz的微波功率，放电室外的磁场线圈 产生轴向发散磁场。当向谐振腔送入气体时，电子在洛伦兹力作用下将以磁力线为轴作螺旋形回旋运动，其回旋频率为 ?e= eB/me 式中，e和me分别是电子电荷及其质量，B是磁场强度。;;;图5-18a是热丝法沉积金刚石薄膜的示意图，热丝CVD是把加热到2000℃以上的钨丝或钽丝放在非常靠近基片的上方约10mm，用加热到2000℃以上的热丝激发氢和甲烷的混合气体，且（体积比），压力数十乇，基体温度为700~1000℃可得到金刚石薄膜。;;表1 天然金刚石和CVD金刚石薄膜的物理性质;表2 国内外金刚石薄膜的研究情况对照;金刚石薄膜的制备方法;图1 碳的相图;为了促进金刚石相生长，抑制石墨相，必须利用各种动力学因素：;为了促进金刚石相生长，抑制石墨相，必须利用各种