01 电磁辐射与材料结构.pptVIP

第一章 电磁辐射与材料结构;第一节 电磁辐射与物质波;一、电磁辐射与波粒二象性;波动性与微粒性的关系： E=h?（=hc/ ?） P=h/? 等式左边与右边分别为表示电磁波微粒性与波动性的参数 波动性的表现？ 微粒性的表现？ ;电磁波谱;Trillion-万亿;①长波部分（低能部分），包括射频波（无线电波）与微波，有时习惯上称此部分为波谱。;三、物质波 ;电子波（运动电子束）波长 ;Accelerating voltage (kV);第二节 材料结构基础;一、原子能态及其表征;1．原子结构与电子量子数 ;2．原子能态与原子量子数 ;J-J偶合：当剩余相互作用小于自旋-轨道相互作用时，先考虑后者的偶合（适用于重元素原子）。 L-S偶合：当剩余相互作用大于自旋-轨道相互作用时，先考虑前者的偶合[适用于轻元素和中等元素（Z40）的原子]。 L-S偶合可记为 （s1，s2，…）（l1，l2，…）=（S，L）=J （1-9） 此式表示将各电子自旋角动量（ ， ，…）与各电子轨道角动量（ ， ，…）分别加和（矢量和），获得原子的总自旋角动量PS与总轨道角动量PL，然后再由PS与PL合成总（自旋-轨道）角动量PJ（即PJ=PS+PL）。 ;按L-S偶合，得到S、L、J、MJ等表征原子运动状态的原子量子数。 S称总自旋量子数，表征PS的大小。 L称总（轨道）角量子数，表征PL的大小。 J称内量子数（或总量子数），表征PJ的大小；J为正整数或半整数，取值为：L+S，L+S-1，L+S-2，…，?L-S?，若L≥S，则J有2S+1个值，若L＜S，则J有2L+1个值。 MJ称总磁量子数，表征PJ沿外磁场方向分量的大小，MJ取值为：0，?1，?2，…，?J（当J为整数时）或?1/2，?3/2，…，?J（当J为半整数时）。 ;用n（主量子数）、S、L、J、MJ等量子数表征原子能态，则原子能级由符号nMLJ表示，称为光谱项。 符号中，对应于L＝0，1，2，3，4…，常用大写字母S、P、D、F、G等表示。 光谱支项 M表示光谱项多重性（称谱线多重性符号），即表示M与L一定的光谱项可产生M个能量稍有不同的分裂能级（每一分裂能级称为一个光谱支项），此种能级分裂取决于J，每一个光谱支项对应于J的一个确定取值，而M则为J的可能取值的个数（即L≥S时，M=2S+1；LS时，M=2L+1）。 ;当有外磁场存在时，光谱支项将进一步分裂为能量差异更小的若干能级（此种现象称塞曼分裂）。其分裂情况取决于MJ，每一分裂能级对应于MJ的一个取值，分裂能级的个数则为MJ可能取值的个数。 ; 例如：某原子的一个光谱项为23PJ，即有n=2，L=1，设S=1，（故M=2S+1=3），则J=2，1，0。当J＝2时，MJ=0，?1，?2；J=1时，MJ=0，?1；J=0时，MJ＝0。23PJ光谱项及其分裂如图1-2所示。 图1-2 23PJ谱项及其分裂示意图 ;3. 原子基态、激发、电离及能级跃迁 ;二、分子运动与能态 ;1. 分子总能量与能级结构 ;（双原子）分子能级（结构）示意图;2. 分子轨道与电子能级 ;O2分子电子能级示意图 带“*”者为反键轨道(如?2s*) 无“*”者为成健轨道(如?2s) ;3. 分子的振动与振动能级 ;（1）双原子分子的振动 ;分子振动与弹簧谐振子的不同之处在于：振动能量是量子化的。按量子理论的推导，有 （1-13） Ev——分子振动能； V——振动量子数，V可取值0，1，2，…； h——普朗克常数。 ;（2）多原子分子的振动 ;分子振动类型示例——亚甲基的各种振动 “+”表示垂直纸面向里运动；“-”表示垂直纸面向外运动;三、原子的磁矩和原子核自旋 ;核自旋量子数I与原子的质量数及原子序数的关系;四、固体的能带结构 ;能带的形成示意图;2. 能带结构的基本类型及相关概念 ;固体能带结构的基本类型（示意图） （a）绝缘体 （b）本征半导体 （c）导体 （d）导体;五、晶体结构;5.干涉指数;干涉指数是对晶面空间方位与晶面间距的标识。（晶面指数只标识晶面的空间方位。） 干涉指数与晶面指数的关系： 若将（hkl）晶面间距记为dhkl，则晶面间距为dhkl／n（n为正整数）的晶面干涉指数为（nh nk nl），记为（HKL），dhkl／n则记为dHKL。 例如，晶面间距分别为d110／2，d110/3的晶面，其干涉指数分别为（220）和（330）。 干涉