1章-集成电路的基本制造工艺.ppt

半导体集成电路;第二章 集成电路制造工艺;;1. 二极管 （PN结） ;2.1 集成电路加工的基本操作;形成材料薄膜的方法;光刻和刻蚀形成需要的图形;正胶和负胶的差别;亮场版和暗场版的差别;掺杂改变材料的电阻率或杂质类型;;;§1.1.1 双极集成电路中元件的隔离;B;解决双极集成电路元件之间的隔离: pn结隔离工艺 pn结隔离工艺双极晶体管的三种结构： 1. SBC结构；2. CDI结构；3. 3D结构;;双极集成电路等效电路;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;具体步骤如下： 1．生长二氧化硅（湿法氧化）：;2．隐埋层光刻：;刻蚀（等离子体刻蚀）;P-Si;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;双极集成电路元件断面图;;P-Si;SBC结构工艺的分析与设计考虑;寄生的PNP晶体管;n+埋层的设计;外延生长的设计;隔离区的设计;集电极深接触的设计;基区形成的设计考虑;发射区形成的设计考虑;SBC结构工艺在应用中的局限性;E;重要知识点;MOS晶体管的动作 ;简单说，可以把mos管看作是一个电压控制的开关，当控制电压高于阈值电压，开关闭合，低于阈值电压，开关断开;MOS结构和分类;MOS器件结构;MOS：栅极和衬底;MOS：源和漏;MOS：漏、栅、源、衬的隔离;MOS器件的分类;MOS器件的分类;MOS晶体管的分类;MOS晶体管的结构特点;silicon 衬底;在硅衬底上制作MOS晶体管;silicon substrate;silicon substrate;Shadow on photoresist;非感光区域;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;自对准工艺;silicon substrate;silicon substrate;silicon substrate;完整的简单MOS晶体管结构;重要的结构参数：;沟道长度L的计算;沟道宽度W的计算;CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片上，如何实现？ 采用做阱的方法解决了需要两种类型衬底的问题;n阱CMOS主要工艺步骤;2、制作n阱 热氧化形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。 在氧化层上开出n阱区窗口 注磷在窗口下面形成n阱 退火和阱区推进;3、场区氧化;3、场区局部氧化法 LOCOS工艺具体步骤： 生长薄层SiO2作为缓冲层 淀积氮化硅 刻掉场区的氮化硅和缓冲氧化层 场区注入 热氧化形成场氧化层;鸟嘴问题;4、制作硅栅 具体步骤： 生长SiO2缓冲层 沟道区注入 生长新的栅氧化层 CVD工艺淀积多晶硅 多晶硅掺杂 光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形;5、形成源和漏区;6、形成金属互连线 在整个硅片上淀积氧化层 通过光刻在氧化层上开出引线孔 在整个硅片上淀积金属层，如铝 光刻形成需要的金属互连线图形;;主要的CMOS工艺;P-well;体硅CMOS的闩锁（Latch-up）;Latch-up效应等效电路;寄生晶体管Q1、Q2和寄生电阻Rw和Rs构成正反馈回路，使电流循环放大，至到VDD电压和GND之间锁定在（Von+VCES）。;防止闩锁的措施;场区寄生MOS晶体管;CMOS版图设计规则;版图设计规则由生产厂家根据其工艺加工水平制定，给出了三种尺寸限制： 各层图形的最小尺寸即最小线宽 同一层次图形之间的最小间距 不同层次图形之间的对准容差，或叫套刻间距;版图设计规则的两种形式;版图设计规则说明;压点图形 ;违背版图设计规则的影响;0.25um工艺水平的微米设计规则 ;一个n阱CMOS工艺的λ设计规则;一个n阱CMOS工艺的λ设计规则;2.3 深亚微米CMOS工艺;浅沟槽隔离（STI）;STI主要步骤;外延双阱工艺;n＋、p＋两种类型的硅栅;铜互连;铜互连技术特点：;常规互连工艺和镶嵌工艺比较;深亚微米CMOS结构图;Example: Intel 0.25 micron Process;Interconnect Impact on Chip;2.4 SOI CMOS结构和工艺;SOI CMOS结构;SOI MOSFET的性能;形成SOI 硅片的基本工艺(1);形成SOI 硅片的基本工艺(2);形成SOI 硅片的基本工艺(3);形