WI-C-020工艺检验标准B类A6探讨.doc

昆山丘钛微电子科技有限公司 Q Tech 文件编号WI-C-020文件名称版 本A发行日期2009-7-2CCM工艺检验标准 （B类）页 次 PAGE 12/12执行日期2009-7-2页 版6 PAGE  版 次修订理由与内容摘要修订页次修订日期修订人A1修订3014底座推力,1010晶片倾斜 P5 P82008-9-27孔莉俊A2修订2012，3014检验标准P2 P82009.1.14王强华A3增加1026，2025，3025，6022设计不良项目P6/7/8/102009.01.17王强华A4依生产实际情况变更检验标准P4/5/6/9/10/112009.3.16王强华A5修订 3003 检验标准P82009-4-29赵利伟A6修订 1015 检验标准P62009-7-2赵利伟会签生产部质量部生产工艺核准审核编制1.目的 定义产品或基板在制造过程中的不良报废标准及各项不良代码,其中包含任何会造成良率下降,或其他影响生产的项目. 2.范围 适用于本公司所有CCM B类产品外观,电性,图像品质检验,包含本公司自行生产制造,委外加工以及外购入厂组立或单独包装出货之产品. 3.名词解释 WS : wafer Sawing(晶圆切割); DB : Die Bonder, (着晶) WB : Wire Bonder,(着线) HM : Holder Mount(镜头组装); MK : Marking(喷码); CT : Cutting(分粒); FT : Function test(功能测试); AC : Appearance Checking(外观检验). 4.职责 4.1 工艺部: 4.1.1 负责各项不良标准及代码的制定. 4.1.2 负责增加新出现的不良标准及代码的登录等. 4.2 生产部： 4.2.1. 按照制定的标准执行. 4.3 质量部 4.3.1 负责标准执行的管制 4.4文管中心: 4.4.1依据工程部门的申请,负责文件的管制发行,回收,报废. 5.作业流程图 无 6.作业程序 6.1 检验时必须配戴指套以及防静电手环. 6.2 不良品/待重工品须标示明显的不良品标签. 6.3 报废品须标示明显的标签并在申请后报废. 6.4 若发现有检验标准未定义的异常发生时,应通知相关工程师处理. 6.5 外观检验项目标准及不良代码,参见附件. 6.6 本标准中的不良项目,不限于定义该项目的站位使用,任何站位都可以且仅可以使用本标准中所定义的任何不良代码,名称和标准. 7.相关文件 无 8.相关表单 无. 附件:不良项目清单 备注:00 = WS; 10 = DB; 20 = WB; 30 = HM; 40 = CT; 50 = MK; 60 = FT; 70 = AC; 80 = PK . 不良码不良名称说明/标准晶圆切割不良类0000其他晶圆不良类任何其他晶圆不良类,但未定义于以下晶圆不良类之不良.0001晶片平整度晶片一边比另一边高.晶片平整度大于40um,拒收.0002无法抓取晶片残留在胶片上,且着晶设备无法自动顺利抓取,知会厂商.0003感光区沾污晶片感光区沾污者a.无法去除且大于10个像素,拒收. b.在作业过程中发现一片晶圆的沾污不良比例1%,拒收整片晶圆.0004感光区刮伤感光区有任何刮伤,a.单个刮伤大于10个像素或两条以上刮伤总长超过10个像素点.拒收. b. 在作业过程中发现一片晶圆的刮伤不良比例1%,拒收整片晶圆.0005感光区异物感光区有不可移动,不可去除之异物,a.大于10个像素;拒收; b. 在作业过程中发现一片晶圆的感光区异物不良比例1%,拒收整片晶圆.0006感光区粘胶感光区有不可移动,去除之残胶,a.大于10个像素;拒收; b. 在作业过程中发现一片晶圆的感光区残胶不良比例1%,拒收整片晶圆.0007硅粉残留晶片上有切割残留之硅粉,a.大于10个像素;拒收; b. 在作业过程中发现一片晶圆的感光区硅粉残留不良1%,拒收整片晶圆.0008非感光区异物非感光区如有异物且不可移动者,可接受.可移动的异