第5章存储系统和结构(终)课题.ppt

中国计算机学会“21世纪大学本科计算机专业系列教材”计算机组成原理;第5章存储系统和结构;本章学习内容;本章学习要求;5.1 存储系统的组成;5.1.1 存储器分类 ;1.按存储器在计算机系统中的作用分类（续）;⑴随机存取存储器RAM CPU可以对存储器中的内容随机地存取，CPU对任何一个存储单元的写入和读出时间是一样的，即存取时间相同，与其所处的物理位置无关。 ⑵只读存储器ROM ROM可以看作RAM的一种特殊形式，其特点是：存储器的内容只能随机读出而不能写入。这类存储器常用来存放那些不需要改变的信息。;⑶顺序存取存储器SAM SAM的内容只能按某种顺序存取，存取时间的长短与信息在存储体上的物理位置有关，所以SAM只能用平均存取时间作为衡量存取速度的指标。 ⑷直接存取存储器DAM DAM既不像RAM那样能随机地访问任???个存储单元，也不像SAM那样完全按顺序存取，而是介于两者之间。当要存取所需的信息时，第一步直接指向整个存储器中的某个小区域；第二步在小区域内顺序检索或等待，直至找到目的地后再进行读/写操作。;⑴磁芯存储器 采用磁性材料，利用两种不同的剩磁状态表示“1”或“0”。 ⑵半导体存储器 采用半导体器件制造的存储器，主要有MOS型存储器和双极型存储器两大类。MOS型存储器集成度高、功耗低、价格便宜、存取速度较慢；双极型存储器存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高。;⑶磁表面存储器 在金属或塑料基体上，涂复一层磁性材料，用磁层存储信息，常见的有磁盘、磁带等。由于它的容量大、价格低、存取速度慢，故多用作辅助存储器。 ⑷光存储器 采用激光技术控制访问的存储器，一般分为只读式、一次写入式、可读写式3种，它们的存储容量都很大，是目前使用非常广泛的辅助存储器。 ;易失性存储器 断电后，存储信息即消失的存储器 非易失性存储器 断电后信息仍然保存的存储器 如果某个存储单元所存储的信息被读出时，原存信息将被破坏，则称破坏性读出；如果读出时，被读单元原存信息不被破坏，则称非破坏性读出。具有破坏性读出的存储器，每当一次读出操作之后，必须紧接一个重写（再生）的操作，以便恢复被破坏的信息。 ;5.1.2 存储系统层次结构;多级存储层次;Cache－主存存储层次（Cache存储系统） ;主存?辅存存储层次（虚拟存储系统） ;计算机中存储器的层次结构;传统存储器分级体系结构;现代存储器分级体系结构;内存与外存的关系及比较;5.2存储器的基本构成;地址寄存器;1．存储体;2．寻址系统;3．存储器数据寄存器（MDR）;4．读写系统;5．控制线路;5.2.2 主存储器的存储单元 （续）;5.2.2 主存储器的存储单元 （续）;5.2.3 主存储器的主要技术指标 ;2.存取速度;2.存取速度（续）;2.存取速度（续）;3.可靠性;5.2.4 数据在主存中的存放 ; 主存储器通常分为 RAM和ROM两大部分。 RAM可读可写 ROM只能读不能写。 ;内存储器的分类及应用;MOS;双极型晶体管与场效应晶体管;场效应晶体管;场效应晶体管;记忆单元 存放一个二进制位的物理器件 记忆单元是存储器的最基本构件，地址码相同的多个记忆单元构成一个存储单元。 记忆单元可以由各种材料制成，但最常见的由MOS电路组成。 RAM又可分为静态RAM，即SRAM（Static RAM）和动态RAM，即DRAM（Dynamic RAM）两种。 ;1. 6管SRAM记忆单元电路;2. 4管DRAM记忆单元电路;3.单管DRAM记忆单元;1.刷新间隔 为了维持DRAM记忆单元的存储信息，每隔一定时间必须刷新。 刷新和重写（再生）是两个完全不同的概念，切不可加以混淆。 重写是随机的，某个存储单元只有在破坏性读出之后才需要重写。 刷新是定时的，即使许多记忆单元长期未被访问，若不及时补充电荷的话，信息也会丢失。 重写一般是按存储单元进行的，而刷新通常以存储体矩阵中的一行为单位进行的。 ;2.刷新方式 ;2.刷新方式（续）;2.刷新方式（续）;2.刷新方式（续）;2.刷新方式（续）;2.刷新方式（续）;2.刷新方式（续）; 为了控制刷新，往往需要增加刷新控制电路。刷新控制电路的主要任务是解决刷新和CPU访问存储器之间的矛盾。通常，当刷新请求和访存请求同时发生时，应优先进行刷新操作。也有些DRAM芯片本身具有自动刷新功能，即刷新控制电路在芯片内部。; ⑴ 刷新对CPU是透明的。 ⑵ 每一行中各记忆单元同时被刷新，