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多媒体教案-电子信息材料-04-半导体材料-2009-spr
电子信息材料 -04 ——半导体材料;第四章 半导体材料;目录;绝缘体：
半导体：
导体：
超导体：
************
能隙：
费米能级：
空穴：
正(负)电荷：
晶体管：
二极管： ;肖克莱、巴丁、布拉顿（美国）贝尔实验室，1948年6月正式申请专利。;4.1 半导体的物理基础简介;轨道杂化？;处在基态和激发态的半导体; ;本征半导体的掺杂——类氢模型;半导体的输运特性;半导体的输运特性;热电效应
光电发射效应，光电导效应，光伏效应
电磁效应;4.2 PN结的光生伏特效应;多子是什么？
典型代表有？;P-N结;P-N结的内建电场;太阳能电池材料;性能特点：
1 解理面为{110}；
2 与硅和锗相比，禁带宽度大（1.43 eV）；(决定半导体器件最高工作温度，450摄氏度下可正常工作)
3 电子迁移率高；
4 电子有效质量低（杂质电离能小，低温下仍可电离，可制成低温下工作??器件）；
5 光电转换效率高；
6 具有负阻效应；（硅和锗没有） ;GaAs 砷化镓;直接带隙;砷化镓的负微分电导（负阻）效应;其他III-V族化合物半导体;固溶体半导体;红外光谱仪——Bruker IFS66V/s
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