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PECVD工艺
PECVD工艺介绍;目录;SiNx:H膜的简介;工艺目的介绍;CVD工艺的分类;什么是Plasma;PECVD简单原理;PECVD种类;PECVD系统简介;设备示意图;设备核心;PECVD等离子体产生图例;特气流量（sccm）;面板介绍;面板介绍;工艺参数调节;钝化技术;氢钝化：钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于反应物分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。;钝化效果比较;膜厚对效率影响;检验方法;PECVD安全;PECVD安全标示;
谢谢！;
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