soc工艺课件 ch7化学气相淀积.ppt

微电子制造工艺概论;7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜;7.1CVD概述 ;气压分类 常压化学气相淀积（APCVD, Atmospheric pressure chemical vapor deposition ） 低压化学气相淀积（LPCVD, Low pressure chemical vapor deposition ） 反应激活能分类 等离子增强化学气相淀积（PECVD, Plasma enhanced chemical vapor deposition ） 金属有机物化学气相淀积（MOCVD, Metal-Organic chemical vapor deposition ） 激光诱导化学气相淀积（LCVD , Laser chemical vapor deposition ） 微波等离子体化学气相淀积（MWCVD, Microwave assisted chemical vapor deposition ） 温度分类 低温CVD 中温CVD 高温CVD;7.2CVD工艺原理;7.2.1薄膜淀积过程;CVD反应室内的流体动力学 反应室工作气体是常压或初真空度，分子平均自由程远小于反应室尺寸，主气流区是层流状态，气体有稳定流速。 边界层：主气流区与硅片之间流速受到扰动的气体薄层。 边界层厚度δ;立式反应器中浮力驱动的再循环流;CVD的化学反应条件; 1969年建立的Grove模型认为控制薄膜淀积的两个步骤：一是气相质量输运过程，二是表面化学反应过程。 反应剂到达衬底表面的扩散流密度Jg为： Dg为反应剂气相扩散系数；Cg、Cs为主气流区和衬底表面的反应剂浓度；δ为边界层厚度；hg为气相质量传输系数，hg=Dg/ δ。 反应剂发生化学反应生成的薄膜物质的原子流密度Js为： ks为化学反应速率常熟；k0为与温度无关的常数；Ea为激活能；k为波尔兹曼常数；T为热力学温度。;在稳态，两个流密度应相等，由Jg=Js=J，因此： 薄膜淀积的速度G表示为： 其中，CT为主气流区单位体积中的分子数；Y为反应剂的摩尔百分比， N表示单位体积薄膜中的原子数，多晶硅薄膜的N=5x1022atoms/cm3 。 淀积速率与反应剂的浓度成正比。反应剂稀释时，淀积速率与反应剂的摩尔百分比成正比。;硅烷的气流速率较低时，多晶硅淀积速率和硅烷气流速率呈线性关系，而反应剂的浓度与气流速率成正比。浓度低时，薄膜淀积速率的表达式与试验相吻合。;Y一定时， G 由hg和ks中较小者决定 如果hgks，则Cs≈Cg——表面化学反应速率控制过程，有 如果hgks，则CS≈0——质量传输速率控制过程，有;温度的影响——两种极限情况;表面反应控制， ks hg G∝ks∝exp(-EA/kT);Grove模型的指导作用和局限 质量输运控制CVD中，反应剂浓度的均匀性很重要；对温度的控制不必很严格。 表面化学反应控制CVD中，温度均匀性很重要；对反应剂浓度控制不必很严格。 在反应剂浓度较低时Grove模型和实测结果吻合得较好，浓度较高则不然。 忽略了反应产物的解吸、流速影响；因为浓度高时，副产物数量增多，阻挡了反应及进入边界层和在基片表面的吸附； 忽略了垂直于边界层方向存在的温度梯度对气相物质输运的影响；;7.2.3薄膜质量控制;薄膜台阶的覆盖方式： 保形覆盖：无论衬底表面有什么样的倾斜图形，在所有图形上面都能淀积有相同厚度的薄膜。 非保形覆盖：衬底表面淀积的薄膜厚度不均匀。 薄膜淀积速率由衬底温度和表面反应剂浓度决定。同一衬底不同位置的温度相同。反应剂是通过气相扩散穿过边界层到达衬底表面，所以表面反应剂的浓度与同一衬底不同位置的到达角和边界层厚度有关。;到达角（arrival angle）指反应剂能够从各方向到达表面的某一点，这全部方向就是该点的到达角。到达角越大，能够到达该点的反应剂分子数量就越多，该点淀积的薄膜就越厚。 边界层厚度受气体压力和气流状态等因素影响。常压淀积时，孔洞或沟槽内部气体边界层比平坦部位厚，分子平均值自由程很小，表面反应剂气体浓度较低，该点淀积较薄，如图中C点。 低压淀积时，反应剂气体分子自由程较长，分子碰撞概率降低，表面反应剂浓度与到达角有关外，还与遮蔽效应有关。 遮蔽（Shadowing）效应——衬底表面上的图形对反应剂气体分子直线运动的阻挡作用。直接入射到D点的入射角θ远小于平面部位。深宽比越大，孔洞或沟槽内部D点的入射角θ越小，遮蔽效应就越严重。;7.2.3薄膜质量控制——台阶覆盖特性;薄膜沉积在衬底