第五章晶体生长与晶体缺陷1浅析.pptVIP

第五章 晶体生长与晶体缺陷;1）金属制品，熔炼后铸造，凝固为铸锭或铸件，而其组织和性能与其凝固过程关系密切。 2）了解物质的凝固过程；讨论晶核的形成以及晶体长大过程的基本理论规律；并运用这些基本概念分析金属铸锭组织的形成过程 3）深入了解薄膜生长的理论和技术 ;凝固：一切物质从液态到固态的相变过程。 结晶：液态转变为结晶态固体的过程。;§5.1液体的性质和结构;结构：长程无序而短程有序。;特点（与固态相比）：原子间距较大、原子配位数较小、原子排列较混乱。;如何来描述实验的结果？;根据热力学，一定温度下不同大小原子团的相对数目可表 示为 ; △ G可用下式表示，即 △ G=V △Gv/Vs+Aσ (5.2) ;§5.2 凝固的热力学条件 ;在恒压下，dp = 0，因此 ;液相的比热比固相比热大;由于液相的比热比固相比热大，因此，液相自由能随温度升高而下降的速率比固相的大； 在绝对零度时，固相的内能比液相的内能小，因此固相曲线的上起点位置较低； 液相与固相的自由能与温度的变化曲线必在某一温度下相交，交点对应的温度是该材料的熔点：Tm。;结晶的潜热 ;结晶时的过冷现象;过冷现象：熔体材料冷却到理论结晶温度以下，并不是立即就形成晶体，还保留原来状态，这种现象称为过冷。 过冷度：为了表述材料过冷的程度，将理论转变温度与实际所处的温度之差称为过冷度 。 ΔT = Tm － T;组织的变化：在一定的过冷度下，在液态的熔体内首先有细小的晶体生成，这个过程称为形核。随后晶核不断长大，同时在未转变的液体中伴随新的核心的形成。生长过程到相邻的晶体互相接触，直到液体全部转变完毕。每个成长的晶体就是一个晶粒，它们的接触分界面形成晶界。 ;§5.3 形核;在一定过冷度下，ΔGV为负值，而σ恒为正值。可见晶体总是希望有最大的体积和最小的界面积。设ΔGV和σ为常数，最有利的形状为球。设球的半径为r，有： ;1）rrk，晶胚长大将导致系统自由能的增加，这种晶胚不稳定，瞬时形成，瞬时消失。 2）r=rk，晶体的长大趋势等于消失趋势，这样的晶胚称为临界晶核。 3???当r rk ,自由能下降，晶核可以长大。形成一个临界晶核本身却要引起系统自由能增加△Gk，形核功：形成临界晶核所需克服的能垒 ;随过冷度增加，临界晶核半径减小，形核的几率增加。 临界过冷度：形成临界晶核时的过冷度，△Tk. △T≥△Tk是结晶的必要条件。;4. 形核功与能量起伏;1）当r=rk，临界晶核形成时的自由能增高等于其表面能的1/3，此形核功是过冷液体金属开始形核时的主要障碍。2) 形核功来自何方？在没有外部供给能量的条件下，依靠液体本身存在的“能量起伏”来供给 3) 能量起伏：系统中微小区域的能量偏离平均能量水平而高低不一的现象。（是结晶的必要条件）。 ;自发形核必需具备的条件为： 1）必须过冷，过冷度越大形核驱动力越大 2）必须具备与一定过冷度相适应的能量起伏ΔGk和结构起伏rk 3）当ΔT增大时， ΔGk 和 rk都减小，液相的形核率增大。;5、形核率;1）当 ΔT 不大时，形核率主要受形核功因子控制 ΔT 增大，形核率增大 ΔT非常大时，形核率主要受扩散因子的控制，随 ΔT 增加，形核率降低。 2）金属的结晶倾向很大，不可能在非常大的过冷度时结晶，达到某一过冷度时形核率急剧上升。形核率突然增大的温度称为有效形核温度，对应的过冷度约等于0.2Tm。;二、非自发形核 ;在晶胚，液相和基底的交界处，表面张力的平衡条件为;;3）临界形核功 △Gk非/△Gk=(2-3cosθ+cos3θ)/4 a θ=0时，△Gk非＝0，杂质本身即为晶核； b 180θ0时, △Gk非△Gk, 杂质促进形核； c θ=180时，△Gk非＝△Gk， 杂质不起作用。 非自发形核比自发形核所需的形核功要小，可以再较小的过冷度下发生，形核容易。;4)基底形状 凹面更有利形核 晶核往往在模壁底裂缝或小孔处先出现。;§5.4 晶体的长大;2. 液固界面微结构;3. 晶核长大的条件 1）动态过冷 动态过冷度：晶核长大所需的界面过冷度。 ;两维晶核长大;4.长大速度;2）负温度梯度下晶体的长大;关于树枝晶：按树枝方式生长的晶体称为树枝晶，先凝固的称为主干，随后是分支，再分支。值得指出的是：①纯净的材料结晶完毕见不到树枝晶，但凝固过程中一般体积收缩，树枝之间若得不到充分的液体补充，树枝晶可保留下来； ②生长中晶体分支受液体流动、温差、重力等影响，同方向的分支可能出现小的角度差，