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第七章 俄歇电子能谱(Auger);俄歇电子发射;俄歇效应和X-ray荧光是一个竞争过程。X-ray荧光发生的可能性随发射元素的原子序数增加而增加，相反，俄歇电子发射随原子序数的增加而减少，如果电子的空位在K层，对Z=33的As来说，这两个过程具有大致相等的可能性。在原子序数小于11时，几乎仅有俄歇电子发射，X-ray很少。X-ray荧光对于低原子序数的元素用处不大，而俄歇电子发射却极易产生（见图7-1）;5 11 33 40;在俄歇电子能谱中，常用的激发源是电子。在电离和俄歇发射期内，发射的电子一般没有足够的能量去穿透大于10nm的距离。从样品中发射电子的典型深度在1—5nm之间，因为只有这个深度发射的电子才能被检测到，所以俄歇电子能谱是一种表面分析方法;关于表面分析;俄歇电子过程的电子转移;Z：3—15时，只有KLL
Z＞14时，有KLL、LMM、MNN
Z增大，K??电离减少，产生KLL几率下降
从Si=14开始，主要是LMM型的俄歇电子
Z＞40时，MNN占优势;图7-2 主要俄歇电子能谱;只要测出俄歇电子能量，就可以通过上图找出是哪个元素而进行定性分析。根据峰值高就可以定量
实际上，发射的俄歇电子的动能应当等于电子落到空位时放出的能量减去从原子中击出俄歇电子所需要的能量
;装置
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