电介质物理导论第二章2.ppt

本章内容提要;§2—1 电介质电导总论;有助于为绝缘结构的工程性应用提供有用资料， 了解电介质物性及作为强电场下介质破坏的先导现象。 下面引出电介质电导率γ的表达式。 当电场不很强时，电介质中的导电电流服从欧姆定律，即电 流密度j与电场强度E成正比：; 电介质中有体积电导率和表面电导率之分， 流过电介质的电流 电流沿着表面流动。 体积电导率由流过体积的电流决定—γv； 表面电导率由流过表面的电流决定，记之为γS。 因此，式(2—1)实际上就是：; 设 n—电介质单位体积内载流子(carrier)的数目， q—每个载流子所带的电荷。 考察在两个平行电极间取出的一块电介质， 由于载流子在电场作用下的定向运动 引起电流强度或电流密度，见图2—1。 ; 设载流子沿电场方向漂移的平均速度为 ， 则电流强度: --单位时间内通过垂直于电场方向，面积为S的平面的电荷; 在单位场强下，载流子沿电场方向的平均漂移速度 用μ表示。 单位为米2/伏·秒。 电导率的普遍表示式：; 式(2—4)表明：电介质中的电流，是其中所可能具有的各种载流子(迁移率各不相同)，在电场作用下形成的电流的总和，因此，电介质的电导率γ亦相应地取决于其中各种导电机制贡献的总和，即 ：;;理想的电介质，ρ应等于无穷大； 电介质的电阻率其量级处于109～1022欧·米的范围内； 108或109欧·米量级 半导体与电介质？ ; 对半导体而言，禁带宽度约为0.5～1.5eV，而电介质的禁带宽度一般为1.5 ～ 7eV。 表2-l列出了具有1电子伏量级的禁带宽度(如硅和锗)的半导体的电导率与具有5电子伏禁带宽度的绝缘体的电导率。 ;;; 由上述分析，自然地可以得到以下两条结论，即： 1.对电介质来说，导电载流子可以是离子和电子，但在大多数情形下，主要是离子而不是电子，因此，电介质的导电性质主要是离子导电性，这与导体和半导体的电子导电机构有着明显的区别。 2.根据电导率的普遍表示式(式2—3)可知，要研究电介质的导电性质，应当着重了解载流子及其迁移过程，以决定载流子的产生、浓度以及迁移率大小，揭示作为宏观介电参数的电导率与微观导电机构间联系的规律性。;§2—2 气体介质的电导 ;体积电离的过程;2．2．1 气体中的载流子浓度;在平衡状态下：; 气体载流子的生成与复合情况示于图2—3。 由于外加均匀电场的作用，极板间气体中的 载流子浓度将发生变化， 电离源产生的离子复合 ——空间复合， ——有一部分在电场力的驱使下运动到极板上复合，这样就构成了电流。 此时在平衡态下就有下列关系： N＝N′＋N″ （2—10） 式中N″为单位体积中单位时间内到极板上复合的离子数。 ; 设极板面积为s，极板间距离为d，则由到达极板上复合的离子形成的： 电流 电流密度 N″＝j/qd （2—11） ; （1）当电场很弱、电流密度很小时，此时 ， 即N″?N′，即离子在空间的复合占主导地位，于是可略去式（2—12）右边的第二项，即得到 在电场强度很小时，载流子浓度具有与无电场作用时相同的数值(见式2—9)。; 如果正、负离子的迁移率分别为μ＋与μ－，而电荷量q等于电子电荷e。 根据式(2—4)和式(2—3)并计及式(2—13)，即分别有：;如果 ， 则复合项ξn2可以忽略，于是就有 气体的电流密度j为与电场强度E无关的常量，即电流达到 饱和值——由电离作用在极板间生成的离子全部到达极板上 进行复合。 因此，只要离子生成速率N不变，电流亦将保持恒定不变， 这一区域相当于气体电导的饱和区。; 例如E＞106Vm－1，此时由于气体分子在电场中获得较高能量而不断发生碰撞，引起碰撞电离，使离子生成速率N随电场强度E增大而呈指数式增加，因此，相应的电流密度也随之再度上升。 综合以上三种情形，可以绘出如图2—4所示的j～E的关系曲线，这种曲线亦常称为气体介质在常温、常压下的伏—安特性曲线。 ; 常温常压下，由外界电离因素所生成的载流子数 是很少的。 例如空气，在1厘米3体积内，1秒钟仅产生约4～6对 离子。于是，离子对生成速率可取为N＝4×106m－3·s－1。; 若极板面