第十二章 表面微细加工技术.pptVIP

第十二章 表面微细加工技术;12.1 常用微细加工技术简介;;12.1.1 光刻加工;;;;2、前烘 将涂好胶的Si片在70摄氏度左右的温度下烘烤10min，使光刻胶中的溶剂缓慢而充分地挥发掉，保持光刻胶干燥。常用红外线加热或热板前烘烤方法。 3、曝光 将掩模覆盖在光刻胶层上，或将掩模置于光源与光刻胶之间，用紫外光等透过掩模对光刻胶进行选择性照射。光刻胶受到照射的部分就发生了光化学反应，从而改变了这部分光刻胶的性质。曝光时，准确的定位和严格控制曝光强度与时间是影响光刻精度的关键因素。;;;6、腐蚀 对坚膜后的薄膜进行腐蚀处理。由于在SiO2层上方留下的胶膜具有抗腐蚀性能，所以腐蚀时只是将没有光刻胶膜保护的SiO2薄膜部分腐蚀掉，而光刻胶及其覆盖的SiO2薄膜部分则被完好地保存下来。腐蚀液腐蚀和等离子体腐蚀。 7、去胶 腐蚀完成后，将留在SiO2薄膜上的胶膜去掉。去胶方法主要有：溶剂去胶、氧化去胶和等离子去胶。 ;3、超细线条曝光技术 1）远紫外光曝光技术：远紫外光的波长为200~300nm，与常规光刻曝光工艺中采用的400nm左右的紫外光相比，光的波长缩短一半左右，因此，可以获得更高分辨率的光刻线条。 2）电子束曝光技术：电子束曝光是利用电子束在涂有光刻胶的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。电子束曝光系统的加速电压通常在10~50kV之间，其相应的电子束波长范围为0.005~0.01nm。如此短的波长就克服了衍射效应的限制，从而使电子束曝光具有极高的分辨率，其极限分辨率可达3~8nm。;3）离子束曝光技术：离子的质量比电子大，在光刻胶和基片中的散射小，所以离子束曝光的分辨率比电子束曝光高。 4）X射线曝光：X射线曝光光源的波长为0.1~1.4nm，比紫外光短2~3个数量级，用作曝光源时可提高光刻图形的分辨率，可以刻出0.02微米的细微线条。 ;12.1.2 LIGA微细加工技术;;1）深度同步辐射X射线光刻 2）电铸成形：电铸成形是根据电镀原理，在胎膜上沉积相当厚度的金属以形成零件的方法。胎膜作为阴极，要电铸的金属作为阳极。 3）注塑成形：注塑则是利用电铸得到的金属微结构作为二级模板，在模板中注入塑性材料，便可得到塑性微结??件。反复进行电铸和注塑，即可加工出形状一致的多种多样的微结构件，并可进行批量生产。;12.1.3 高能束微细加工;1、激光束微细加工 1）激光束加工类型 根据光与物质相互作用的机理，激光加工大致可以分为热效应加工和光化学反应加工两大类。 激光热效应加工是指用高功率密度的激光束照射到金属或非金属材料上，使其产生基于快速热效应的各种加工过程。 光化学反应加工主要指高功率密度的激光与物质发生作用时，可诱发或控制物质的化学反应来完成各种加工过程，又称为激光冷加工。;;;;;12.1.4 微细电火花加工;12.1.5 电解微细加工;12.1.6 超声波微细加工;