电力电子半导体器件(IGBT)浅析.ppt

第七章 绝缘栅双极晶体管 （IGBT);§7.1 原理与特性; 第二代于1989年生产，有高速开关型和低通态压降型，容量为400A/500—1400V，工作频率达20KHZ。目前第三代正在发展，仍然分为两个方向，一是追求损耗更低和速度更高；另一方面是发展更大容量，采用平板压接工艺，容量达1000A，4500V；命名为IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor) 二 、工作原理： ;;2．开通和关断原理： IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。门极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。在门极上施以负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。;③关断时拖尾时间： 在器件导通之后，若将门极电压突然减至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使漏极电流有所突降，但由于N-区中注入了大量的电子、空穴对，因而漏极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 ④锁定现象：由于IGBT结构中寄生着PNPN四层结构，存在着由于再生作用而将导通状态锁定起来的可能性，从而导致漏极电流失控，进而引起器件产生破坏性失效。出现锁定现象的条件就是晶闸管的触发导通条件： α1 +α2 =1 a. 静态锁定： IGBT在稳态电流导通时出现的锁定，此时漏极电压低，锁定发生在稳态电流密度超过某一数值时。 b. 动态锁定：动态锁定发生在开关过程中，在大电流、高电压的情况下、主要是因为在电流较大时引起α1和α2的增加，以及由过大的dv/dt引起的位移电流造成的。 c. 栅分布锁定：是由于绝缘栅的电容效应，造成在开关过程中个别先开通或后关断的IGBT之中的电流密度过大而形成局部锁定。 ——采取各种工艺措施，可以提高锁定电流，克服由于锁定产生的失效。;三、基本特性： （一）静态特性 1．伏安特性：;2．饱和电压特性： IGBT的电流密度较大，通态电压的温度系数在小电流范围内为负。大电流范围为正，其值大约为1.4倍／100℃。;4．开关特性： 与功率MOSFET相比，IGBT通态压降要小得多，1000V的IGBT约有2~5Ｖ的通态压降。这是因为IGBT中N－漂移区存在电导调制效应的缘故。;（二）动态特性 1．开通过程： t d(on)：开通延迟时间 tri ： 电流上升时间 tfv1 ，tfv2 ：漏源电压下降时间 tfv1 ：MOSFET单独工作时的 电压下降时间。 tfv2 ：MOSFET和PNP管同时工作时的电压下降时间。随漏源电压下降而延长；受PNP管饱和过程影响。;2．关断过程： t d(off) ：延迟时间 t rv ：VDS上升时间 t fi2 ：由PNP晶体管中存储电荷决定，此时MOSFET已关断，IGBT又无反向电压，体内存储电荷很难迅速消除，因此下降时间较长，VDS较大，功耗较大。一般无缓冲区的，下降时间短。;3．开关时间：用电流的动态波形确定开关时间。 ①漏极电流的开通时间和上升时间： 开通时间：ton= t d(on)+ tri 上升时间： tr = tfv1 + tfv2 ②漏极电流的关断时间和下降时间： 关断时间：toff = t d(off) + t rv 下降时间：tf = t fi1+ t fi2 ③反向恢复时间：trr ;4．开关时间与漏极电流、门极电阻、结温等参数的关系：;5．开关损耗与温度和漏极电流关系;（三）擎住效应 IGBT的锁定现象又称擎住效应。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管存在，它由PNP利NPN两个晶体管组成。在NPN晶体管的基极与发射极之间并有一个体区电阻Rbr，在该电阻上，P型体区的横向空穴流会产生一定压降。对J3结来说相当于加一个正偏置电压。在规定的漏极电流范围内，这个正偏压不大，NPN晶体管不起作用。当漏极电流人到—定程度时，这个正偏量电压足以使NPN晶体管导通，进而使寄生晶闸管开通、门极失去控制作用、这就是所谓的擎住效应。IGBT发生擎住效应后。漏极电流增大造成过高的功耗，最后导致器件损坏。 漏极通态电流的连续值超过临界值IDM时产生的擎住效应称为静态擎住现象。 IGBT在关断的过程中会产生动态的擎住效应。动态擎住所允许的漏极电流比静态擎住时还要小，因此，制造厂家所规定的IDM值是按动态擎住所允许的最大漏极电流而确定的。; 动态过程中擎住现象的产生主要由重加dv/dt来决定，此外还受漏极电流IDM以及结温Tj等因素的影响。 在使用中为了避免IGBT发生擎住现象: