硅片中FeB、BO复合体测试资料.ppt

硅片中FeB、BO复合体的测试;一、背景 二、PV2000原理等简介 三、单晶硅片中FeB、BO复合体测试 四、多晶硅片中FeB、BO复合体测试 五、小结;一、背景;二、PV2000原理等简介;[Fe][cm-3]= 1.05E16(Lafter-2 - Lbefore-2); *;图1 晶棒电阻率分布曲线;分析： 1、FeB复合体尾部稍高，与分凝有关，尾部金属杂质含量较高； 2、BO复合体存在尾部稍高现象，与在该条件下，其他一些缺陷也被检测到有关； 3、硅片质量FeB复合体浓度均低于5E10cm-3 ，对少子寿命及电池片质量影响较小； 硅片Fe浓度在10E11cm-3以下，可通过后续的磷吸杂工艺去除，据文献报道，当 [Fe]10E13cm-3时，会影响后续电池工艺(见图3)。 4、BO复合体浓度集中在 1.3-3E10cm-3之间，对后续电池片开路电压影响较小(见图4)。;A B C D E ;小结;备注： 1、硅片编号1代表硅锭底部，12代表硅锭顶部。;图8 硅锭中Fe含量分布 杂质和缺陷对铸???多晶硅寿命分布的影响,太阳能学报, 2007, Vol.28(12);1、同一张硅片上，扩散长度高的区域从底到顶逐渐缩小； 2、硅块底部均存在两边缘扩散长度较低，而顶部逐渐变为一边区域低， 且面积扩大； ;Fe浓度分布图;BO浓度分布图;小结： 硅块中，由于分凝，Fe及BO含量在顶部分布趋于均匀； 硅片均呈现边缘少子寿命较低，Fe含量较高，与扩散和切片有关； Fe及BO复合体含量对少子寿命有影响，一般说来FeB、BO含量越高，少子寿命 越低； 同单晶，多晶中BO复合体浓度集中在 1-8E10cm-3之间，对后续电池片开路电压 影响较小； ;五、小结