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2.4 典型全控型器件;2.4 典型全控型器件;2.4.1 门极可关断晶闸管;1. GTO的结构和工作原理;GTO能从门极抽取电流使双晶体管进入放大状态 而关断;工作原理：;GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：;2. GTO的主要参数;3) 最大可关断阳极电流IATO;术语用法：
电力晶体管（GTR，巨型晶体管）
耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT）
在电力电子技术范围内，GTR与BJT名称等效。
??应用
20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，耐压和耐流可达1.5KV,1KA, 可在10KHZ以内开关频率下工作。现商品化的GTR耐压、耐流不超过1200V，800A。;1. GTR的结构和工作原理;
共发射极接法时典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。
;3. GTR的主要参数
1)??最高工作电压
GTR上电压超过规定值时会发生击穿
实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo（基极开路时，??电极和发射极间的击穿电压）低得多。; 2)?集电极最大允许电流IcM
通常规定为hFE（电流放大系数）下降到规定值的1/2-1/3时所对应的Ic
实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。
3) 集电极最大耗散功率PcM
最高工作温度下允许的耗散功率; 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区
一次击穿
集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。
只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。
二次击穿
一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。
常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。;安全工作区（Safe Operating Area——SOA）
最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。;2.4.2 功率场效应晶体管;2.4.3 功率场效应晶体管;1) 功率场效应管的结构与工作原理;垂直导电扩散场效应管结构、电路符号 ;1) 功率场效应管的结构与工作原理;1) 功率场效应管的结构与工作原理;1) 功率场效应管工作原理小结;2. 功率MOSFET的基本特性 ;1.转移特性 ;2. 输出特性 ;3. 动态特性 --反映MOSFET的开关过程 ;3. 电力MOSFET的主要参数 ;4) MOSFET的栅极驱动电路 ;采用光耦隔离的MOSFET的典型驱动电路 ;1. IGBT的结构 （MOSFET＋GTR复合）;IGBT的工作原理 ;1）转移特性 ;2）伏安特性 ;3）动态特性;4) 擎住效应;电流过高，电压表变化率高，温升高都可能会产生。;3.IGBT的主要参数;4.IGBT的主要特性;2.4.4 集成门极换流晶闸管(IGCT) ;2.5 功率集成电路 ;智能功率模块 (IPM)
用户专用智能功率模块（ASIPM)
简单PIC ;典型的IPM功能框图;思考作业
晶闸管正常开通和关断条件各是什么？
GTO和普通晶闸管结构有什么不同？为什么GTO能够具有自关断能力？
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