第5章光刻技术教程方案.pptVIP

一、光刻材料及设备 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺 四、光刻质量检测; 光刻是一种将图像复印同刻蚀相结合的综合性技术。先 用照像复印的方法，将光刻掩膜的图形精确的复印到涂覆在 介质（多晶硅、氮化硅、二氧化硅、铝等介质薄层）表面上 的光致抗蚀剂（光刻胶）上面。然后，在光致抗蚀剂的保护 下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材料上得到所 需的图形。集成电路的制造过程中需要经过许多次的光刻， 所以，光刻环节的质量是影响集成电路性能、成品率以及可 靠性的关键因素之一。;光刻胶 光刻胶（PR）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会 发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作 为后序工艺时的保护膜。光刻胶有正胶和负胶之分，正胶经 过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理 之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正 胶恰恰相反。;1.光刻胶组成 （1）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光 源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的； （2）增感剂，感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太 低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂； （3）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘 合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的； （4）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。;2.光刻胶的物理特性 （1）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸； （2）对比度，是指光刻胶对光照区与非光照区间的过渡； （3）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最低能量； （4）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加； （5）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度； （6）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。; 光刻掩膜版 掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。在IC制造 中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩 膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所 以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而 且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。;1.掩膜版的制备流程 掩膜版有铬版(chrome)、超微粒干版、氧化铁版等， 主要为基板和不透光材料。以下是基本的制造流程： （1）制备空白版，常见的空白版有铬版、氧化铁版、超微粒干版三种； （2）数据转换，将IC版图经过分层、运算、格式等步骤转换为制版设备所知的数据形式； （3）刻画，利用电子束或激光等通过原版对空白版进行曝 光，将图形转移到光刻胶上，即刻画；;（4）形成图形，对铬膜、氧化铁膜或明胶等进行刻蚀，形 成图形，最后除去残胶； （5）检测与修补，测量关键尺寸，检测针孔或残余遮光膜 等缺陷并对其进行修补； （6）老化与终检，在200～300℃的温度下烘烤几个小 时，对其进行老化。; 2.掩膜版的质量要求 （1）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变； （2）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小； （3）图形边缘清晰，过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的 反差要大； （4）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针 孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。;3.几种掩膜版 常见的传统掩膜版有乳胶掩膜版、硬面铬膜掩膜版以及 抗反射铬膜掩膜版三种。 乳胶掩膜版是在玻璃衬底上涂覆一层光 敏乳胶，再经过图形转移而成； 硬面铬膜掩膜版是在石英玻璃上溅射 一层厚约60nm左右的铬膜，再经过图形 转移而成；; 为了提高掩膜版的分辨率、降低掩膜 版对光的反射，在硬面铬膜掩膜版的铬膜 上增加了一层厚约20nm的氧化铬膜，这 种就是抗反射铬膜掩膜版。 此外，还有将掩膜版与wafer合二为一的复合掩膜版， 也叫原位掩膜版；在传统掩膜版的基础上增加了相移层的相 移掩膜版；X射线掩膜版等不同类型的掩膜版 。;光刻对准曝光方式 光刻对准曝光的发展经历了五个阶段，接触式曝光、接 近式曝光、投影式曝光、扫描投影式曝光以及步进扫描投影 曝光。 接触式曝光是最早期的光刻机，结构简单，生产效率 高，曝光时掩膜版和wafer上的光刻胶直接接触。接近式曝 光，掩膜版与wafer之间约有2.5 ~25μm 的距离。投影 式曝光，接触式和接近式曝光由于污染、衍射、分辨率等问 题都已不再使用，投影式曝光仍然广泛使用。投影式曝光又 分为扫描投影曝光和步进扫描曝光。;;; 步进投影曝光方式有很多优点，掩模版寿命加长、掩 模制造简单、分辨率高，但对环境的要求非常高，微小的 振动都会影响曝光精度；