现代功能材料复习合辑.pptx

一、原子的微观结构 1.主量子数 n (n =1、2、3、4……) 　　 主量子数确定核外电子离原子核的远近和能级的高低。 2.次量子数 l (l = 0、1、2、3……) 　 次量子数反映的是电子轨道的形状。 在由主量子数n确定的同一主壳层上的电子的能量有差异，可分成若干个能量水平不同的亚壳层，其数目随主量子数而定，习惯上以s、p、d、f 表示 。　　 3.磁量子数m (m = 0、±1、±2、±3……) 　 磁量子数表示电子云在空间的伸展方向，它确定轨道的空间取向。 4.自旋量子数ms (ms = +1/2、-1/2) 　 自旋量子数表示在每个状态下可以存在自旋方向相反的两个电子。; ;第二节　固体的能带理论与导电性 ; ; ; 电荷载流子 定义：载带电荷运动的粒子称为电荷载流子。 基本类型： 　　① 电子和阴离子　负电荷载流子，也称为负型载流子。 　　② 阳离子　正电荷载流子，也称为正型载流子。如Pb2+。 　　③ 空穴　正电荷载流子。在半导体中尤为重要。 电导率和载流子： 载流子迁移率：在外加电场作用下，载流子在原子尺度的结构中移动的难易程度，即： 电导率：由载流子浓度n、每个载流子所带电荷q、载流子迁移率? 决定，即： ; ; ;导体、半导体和绝缘体的能带结构 （ Ev代表价带的最高能量， Ec代表导带的最低能量，Ef是费米能）; ;半导体材料的能隙与电子运动性; 本征半导体的电导率与温度的关系 当温度升高，价带中电子热运动加剧，使电子能够获得更高的能量，从而使跃迁到导带的电子数增加，电荷载流子数随之增加，最终使电导率增大。 　本征半导体的电导率： 　结论： 　本征半导体的电导率受温度影响很大，随温度的升高呈指数增长。 　 　 通过测定半导体材料的电导率和温度的关系可以求出其禁带宽度Eg。 ; n型半导体 基本定义： 当在纯净的硅(或锗)中掺杂施主杂质时，半导体则主要依靠施主提供的电子导电，此即n型半导体。 特点： 施主杂质提供的额外电子不能位于价带中，而只能位于靠近禁带的顶部。 额外电子与原子结合不够紧密，能量较高，只需外界施以较小的能量就可以进入导带。 额外电子进入导带需要克服的能垒为Ed ，通常称为施主能级。它比较接近导带底的能量。 控制n型半导体电导率的是Ed 而非是Eg 。; 载流子的浓度： 式中：第一项为施主杂质的电子浓度，第二项为无杂质纯半导体的电子和空穴浓度，n0d 和n0均大致为常数。 施主耗尽(受主饱和)： 　 在n型半导体中，当温度升高时，有越来越多的施主杂质电子能克服Ed进入导带，最后直到所有杂质电子全部进入导带，即出现施主耗尽。 施主耗尽出现时，n型半导体的电导率将不再发生变化。; p型半导体 基本定义： 当在纯净的硅(或锗)中掺杂受主杂质时，半导体则主要依靠受主提供的空穴导电，此即p型半导体。 特点： 受主杂质提供的空穴不能位于价带中，而只能是靠近禁带底部。 受主杂质接受一个电子并产生空穴所需克服的势垒只稍高于价带，以受主能级Ea表示。 控制p型半导体电导率的是Ea 而非是Eg 。 载流子的浓度：;二、超导电性的基本特征 零电阻效应（R＝0） 　 材料在某一温度下突然失去电阻的现象，称为零电阻效应。 迈斯纳效应（B＝0） 　 处于超导态的物体完全排斥磁场，即磁力线不能进入超导体内部，这一特征叫完全抗磁性或迈斯纳效应。;三、超导体的临界参数 临界温度Tc 　 临界温度即超导转变温度。 　 当T Tc时：超导体呈正常态； 当T Tc时，超导体由正常态转变为超导态。 临界磁场Hc 当温度低于Tc时，强磁场也会破坏超导态，即有磁力线穿入超导体内，材料就从超导态转变为正常态。 　将可以破坏超导态的最小磁场，称为临界磁场。 临界电流Ic（临界电流密度Jc） 　 通过超导体的电流也会破坏超导态，当电流超过某一临界值时，超导体就出现电阻。 将产生临界磁场的电流，即超导态允许流动的最大电流，称为临界电流。 ;;五、超导隧道效应 （约瑟夫森效应） 　 两超导体中间的绝缘层能让超导电流通过的现象，称为超导隧道效应。 延伸：①两块超导体中间夹一层金属可形成约瑟夫森结； ②超导体中间为真空，两者靠得很近可行形成约瑟夫森结； ③两块超导体构成点接触可行形成约瑟夫森结；