第4章薄膜的制备.ppt

一、氧化膜的制备 二、化学气相淀积 三、外延生长 四、物理汽相淀积 ; 芯片加工过程包含在wafer表面生长多种膜层，导电 膜层和绝缘膜层对于制作半导体芯片而言是非常重要的。 制作膜层的方法有很多，不同作用、不同位置的薄膜制作 方法也不同。常用的方法有氧化、化学气相淀积以及物理 气相淀积等。;氧化 二氧化硅具有阻止杂质侵入的作用，另外它还有极其稳 定的化学性质和绝缘性。因为这些性质，二氧化硅层在硅集 成电路中起着非常重要的作用。 1.二氧化硅的结构 二氧化硅由硅-氧四面体组合而成， 有结晶型和无定型两种，两者都是由 硅-氧四面体组成的，不同的是，结晶型是由 硅-氧四面体在空间按照一定规则排列所组成，而无定型则是随机排列。氧化工艺生长成的是无定型的二氧化硅。 ; 2.二氧化硅的性质 （1）物理性质 二氧化硅的物理性质用各种物理参量来表征，如密度、 折射率、电阻率、介电强度、介电常数以及热膨胀系数等。;（2）化学性质 二氧化硅是硅最稳定的化合物，不溶于水，只能和氢氟 酸发生反应。二氧化硅与氢氟酸作用发生如下化学反应： 在生产中，光刻扩散窗口和引线孔窗口等，就是利用了 二氧化硅的这种性质。;3.二氧化硅的用途 由于制备简单并且与硅之间接触良好，使得二氧化硅成 为应用最普遍的膜材料。 （1）掩蔽杂质 半导体器件在制作各个 区时最常采用的方法是先在 wafer表面生长一层氧化膜，刻蚀掉需要掺杂区域的氧化膜 形成掺杂窗口，杂质通过窗口进入wafer。离子注入时，也可用作阻挡层，以降低注入对wafer表面的损伤。;（2）栅氧层 在MOS技术中，常用氧化膜作MOS管的绝缘栅介质， 这是由于二氧化硅具有高的电阻率和高的介电强度，几乎不 存在漏电流。 ;（3）表面钝化和保护 在wafer表面生长一层二氧化硅可以束缚硅的悬挂键， 阻止 wafer表面硅电子的各种活动，提高器件的稳定性和 可靠性，起到钝化保护的作用。它能防止电性能退化，减少 由于潮湿、离子或其它外部污染的原因导致漏电流的产生。 在制造过程中，还可防止wafer受到机械擦伤。 （4）绝缘介质 二氧化硅是良好的绝缘体，可用于多层金属布线结构中上下两层金属间的绝缘层，防止短路。; （5）介质隔离 芯片制作中的隔离方法PN结隔离、介质隔离，介质隔 离通常选择的就是二氧化硅。例如，LOCOS工艺中，晶体 管的隔离就是在晶体管之间生长厚的二氧化硅膜；CMOS工 艺中的场氧就是用来隔离PMOS的有源区和NMOS的有源 区的。; 4.热氧化法生长二氧化硅膜 二氧化硅的生长方法有很多种，热氧化、热分解淀积、 溅射、蒸发等。 由于热氧化的氧化反应发生在硅-二氧化硅交界面，接 触到的杂质、污染比较少，形成的二氧化硅质量也就较高， 所以，多采用热氧化法生长氧化膜。 热氧化法包括干氧、水氧和湿氧三种方法，通常采用干 湿干的氧化模式。;（1）干氧氧化 干氧氧化是在高温下，氧分子与硅直接反应生成二氧化 硅，反应为： 氧化温度约为1000～1200℃，为了防止外部气体对氧化 的影响，炉内的气压要高于炉外的气压。 干氧生长的氧化膜表面干燥、结构致密，光刻时与光刻 胶接触良好、不易产生浮胶，但氧化速率极慢。;干氧氧化系统;（2）水汽氧化 水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水蒸汽反应生成二 氧化硅膜，反应式为： 对高纯水加热产生高纯水蒸气，水汽进入氧化炉与硅 片反应生成二氧化硅膜。水汽氧化氧化速率较快，但膜层 不致密，质量很差，特别是对杂质扩散的掩蔽作用较差， 所以这种方法基本不采用。;水氧氧化系统;（3）湿氧氧化 湿氧氧化中，用携带水蒸气的氧气代替干氧。氧化剂是 氧气和水的混合物，反应过程如下：氧气通过95℃的高纯 水；氧气携带水汽一起进入氧化炉在高温下与硅反应。 湿氧氧化相当于干氧氧化和水汽氧化的综合，其速率也 介于两者之间。具体的氧化速率取决于氧气的流量、水汽的 含量。氧气流量越大，水温越高，则水汽含量越大，氧化膜 的生长速率和质量越接近于水汽氧化的情况。反之，就越接 近于干氧氧化。; 5.氧化生长模式 （1）硅消耗 无论是湿氧还是干氧，在氧化过程中，硅-二氧化硅的 界面都会由硅表面移向内部，即氧化过程要消耗硅。 ;（2）硅-二氧化硅界面 在界面处，有的硅原子没 有和氧原子键合，累积了大量 正电荷。界面处还存在一些陷 阱电荷、可动电荷等，这些电 荷会使MOS器件的开启电压变化不定。 氧