第5章 材料的电导性能-4.ppt

第5章 材料的电导性能;5.2 半导体导电性能;;;1.本征半导体中载流子数;室温下kT≈0.025eV, ε-εFkT,则电子存在的几率可近似为: 导带中存在的导电电子浓度ne为: 其中;导带中的电子数是温度和电子有效质量的函数;2. 费米能级位置;3.本征半导体的迁移率和电阻率;本征半导体的电阻率ρ为;本征激发成对地产生自由电子和空穴，所以自由电子浓度与空穴浓度相等 ne与能隙εg有近似反比关系，硅比锗大，故硅比锗的ne小 ne与温度近似正比，故温度升高时ne增大 ne与原子密度相比是极小的，所以本征半导体的导电能力很弱;5.2.2 杂质半导体;;一、N 型半导体;+4;0K时施主能级 室温时施主能级;二、P 型半导体;0K时受主能级 室温时受主能级;三、杂质半导体的示意表示法;掺杂浓度与原子浓度相比虽很微小，但是却能使载流子浓度大大提高，导电能力因而也显著地增强 掺杂浓度愈大，其导电能力也愈强 掺杂只是使一种载流子的浓度增加，因此杂质半导体主要是多子导电;3.杂质半导体电子和空穴数;对n型半导体, 所有导电电子来源于施主能级，而不是基体的晶格键合 费米能级 ;在低温下;当温度升高至;更高的温度区域时，半导体成为本征半导体。此区域即为本征区域。费米能级近似位于禁带中央;;; 如图5-10所示：如果能级上有电子占据，会对晶体内部产生影响，从而使能带发生弯曲。;欧姆结的定义：结处无势垒，电子通过结来去自由。如图5-12：;肖特基整流：单向导电性，反向电流很小，单向导电称为整流。如图5-13所示：;pn结:由单晶半导体上相邻的2个区—p型区和n型区组成 2区的能级发生相对位移时,最后当能级的相对移动使两侧费米能级拉平,动平衡就达到了.动平衡的条件: 如图5-14;pn结整流原理:如图5-15所示: 原来p区相对n区的电势为- ,如果加电压V于p区,则p区相对n区的电势为 ,这时势垒高度为 如果V为正电压,则能带图中势垒将降低. 在平衡条件下,电子浓度在p区和n区之比为: ;同理,根据(5-29)可知,在平衡条件下,空穴浓度在p区和n区之比为: 将(5-46)修正: ;将(5-46)代入(5-48),得到p区耗尽层边界的电子浓度: 即 同理有n区耗尽层边界的空穴浓度: ;在热平衡下U=0,净符合率U与多余少数载流子的浓度的关系为: 利用(5-52)得 即 ;(5-54)的边界条件为： 时， ;;;因此,通过pn结界面的总电流J为 ;结晶体管的主要功能:放大,其pnp能带结构图如5-16所示: npn能带结构图及载流子情况如5-17所示: ;场效应管是另一类型的晶体管,其pnp能带结构图如5-18所示: ;5.3. 超导体;5.3.2超导体三个性能指标;5.3.3