第6章 快速热处理.pptVIP

第 6 章 快速热处理;热退火;离子注入; 标准的炉管工艺无法缩短热处理时间。因为在炉管中硅片是从边缘向中心加热的，为避免过大的温度梯度而造成硅片翘曲变形，必须缓慢地升温和降温。 ;RTP System;RTP Temperature Change;Temperature of RTP Furnace; 在等温型快速热处理系统中，硅片放在反应腔内的石英支架上，用一组高强度光源来加热硅片。高强度光源采用卤钨灯或惰性气体长弧放电灯等。一个快速热处理系统常常需要 15 到 30 支卤钨灯。;RTP Chamber;Schematic of RTP Chamber; 快速热处理工艺的主要问题之一是 温度的均匀性问题，所以反应腔的设计应围绕着怎样使硅片获得并维持均匀的温度。多数反应腔包含漫反射的反射面，以使辐射在整个硅片上均匀分布。有多种因素使硅片边缘的温度低于硅片中心。解决方法是将灯泡分为一组组可以独立控制的加热区。这种设计还可以??到在某种情况下所希望的不均匀温度分布。;Lamp Array; 6.6 介质的快速热加工; 对于快速热氧化，难以建立一个与实际情况符合得很好的氧化速率模型。原因是