第8章-动态及准静态电路.ppt

第八章 动态及准静态MOS电路 ; 前面我们所分析的各种MOS电路都属于静态电路，其特点是： 1：可在低频及直流下工作，逻辑结果可长期稳定地保持； 2：电路形式与双极型电路类似； 3：各种复杂电路可分解为以倒相器为基础的单元电路。;静态MOS电路的弱点是： 1：不工作时，静态功耗不为零； 2：对E/E MOS电路来说，由于是有比电 路，集成度不高，速度较低； 3：电路形式复杂。 基于静态电路的这些缺点，立足于MOS管的栅电容存贮效应，派生了MOS逻辑电路的一大分支，动态和准静态电路。其显著优点是：电路形式可以大大简化，有利于集成度及速度的提高; §8-1 栅电容的电荷存贮效应 ; 下面我们以图来表示： 起始状态： VGS=0 V0=1 当t=t0时，K闭合：VGS=Vi=1 V0=0 当t=t1时，K断开：VGS=Vi=1 V0=0 维持 当t=t2时，VGS通过RGS放电至Vth， V0=1 可见，只要开关短暂闭合，由于栅电容的电荷存贮效应，就能使输入管较长时间的导通，从而使输出在较长时间内保持低电平输出。 通常τ=RGSCGS~ ms，而输入信号的频率一般为μs甚至ns数量级，因此可以认为在感兴趣的信号周期内栅电容存贮的电荷是没有衰减的。 以时钟控制的电子开关代替图中的开关S，则构成了动态MOS倒相器。;§8-2 动态MOS倒相器; 2：原理 设cp频率很高，在cp的周期内，VCGS无变化。 起始状态：Vi=0 Vcp =0 VGS=0 V0=1； 当t=t0时： Vi =1 由于 Vcp =0 传输门截止， 因此： VGS=0 V0=1 当t=t1时， Vi=1 VCP=1 传输门导通 VGS=1 V0=0 ； 当t=t2时， Vi=1 VCP=0 传输门截止 栅电容存贮效应： VGS=1 V0=0 ； 当t=t3时： Vi=0 VCP =0 栅电容存贮效应： VGS=1 V0=0 当t=t4时： Vi=0 VCP =1 传输门导通 VGS=0 V0=1;3：特点： a：由于 V0 =VOL 时：TI，TL均导通，VOL取 决于βR，故称动态有比MOS倒相器； b：输出具有延时功能。 4：改进： 当cp同时控制门控管及负载管的栅极时，构成低功耗型动态有比MOS倒相器。 设起始：VCP，Vi，VD，V0均为零 t =t0 ：VCP =“0”→“1” Vi=0 T1截止，T2导通，T3导通 VD “0”→“1” V0 “0”→“1” ;t=t1：Vi=“0”→“1” VCP =0 T1导通，C1通过T1放电，C2无放电回路 VD=“1”→“0” V0=“1” t=t2：Vi=“1” VCP=“0”→“1” T1，T2，T3均导通 VD=0 V0=“0” t=t3：Vi=“1”→“0” VCP=0 VD=0 V0=“0” t=t4：Vi=0 VCP=“0”→“1” VD=“0”→“1” VO=“0”→“1” 由于只有VCP=“1”时，倒相器才有负载电流，而cp时间又很短，故功耗低。; 二．动态无比MOS倒相器 1：结构： 以两相非重叠时钟分别控制输入及负载管。 2：原理： 设起始：Vi，VCP1，