非门的VTC特性.pptVIP

非门的VTC特性;反相器;数字逻辑电路中最基本的单元是反相器;VTC特性是什么特性？;反相器;若输入为“0”(Vin = 0V)：VGSN = 0V，VGSP=－VDD, NMOS截止，PMOS导通 输出“1” (Vout = VDD) ;NMOS与PMOS可以同时导通： (由于CMOS反相器输出端连接的是 电容负载，输出接点在直流状态下 不存在输出电流，因此在NMOS管与 PMOS管同时导通时，流过NMOS管的 电流IDN与流过PMOS管的电流IDP大小总是相等的。) 并始终有如下关系： ;CMOS反相器中的NMOS管和 PMOS管工作状态随输入电压 VIN变化而发生的变化;(1) 0≤Vin≤VTN，NMOS截止， PMOS线性 由于在稳态条件下，电路中没有电流流入或者流出， 因此有 Vin在一定范围变化(0～VTN)，Vout始终保持VDD;(2) VTNVinVout+VTP ，NMOS饱和， PMOS线性 Vout随Vin的增加而非线性地下降, Kr=KN/KP为比例因子。 ;(3) Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN，NMOS饱和，PMOS饱和 ;(4) Vout+VTNVinVDD+VTP，NMOS线性， PMOS饱和 Vout随Vin的增加而非线性地下降。 ;(5) VDD≥Vin≥VDD+VTP，NMOS线性， PMOS截止 Vin在一定范围变化(VDD+VTP ～ VDD)，Vout始终保持0。 ;Vin=VTN的垂直线： NMOS截止/导通 Vin=VDD+VTP的垂直线： PMOS导通/截止 Vin－VTN=Vout的斜线： NMOS饱和区/线性区 Vin－VTP=Vout的斜线： PMOS线性区/饱和区 临界饱和条件： VDS=VGS -VT;;理想VTC曲线：（NMOS与PMOS的参数完全对称假定饱和 区电流与漏电压无关） (1)为输出高电平区，(2)、(3)、(4)为转变区，(5)为输出低电 平区。其中(3)表现为垂线段。 实际VTC曲线：（影响VTC曲线的重要因素是反相器中NMOS 与PMOS的参数） (3)不再是垂线段；偏移。;VTC的偏移： ;THANK YOU