1章半导体二极管及其基本电路分析.ppt

第 1 章 半导体器件;;1.1.1 本征半导体; 在上述几种条件下，半导体的导电能力将有明显的改善。 利用半导体的这些特性可以制造出具有不同性能的半导体器件。 ;二、本征半导体 ;硅的原子结构;简化模型;硅(锗)的共价键结构;载流子 —; 自由电子：被激活而脱离共价键束缚的电子变成了带负电荷的自由电子。 空穴：电子的移动使得在共价键内留下相应的空位，而相邻共价键中的电子会来填补这个空位，这样就形成了带正电荷的空穴。 在电场的作用下，自由电子和空穴都会做定向移动，这个过程叫做漂移。 自由电子和空穴构成半导体的两种载流子，是半导体机理的重要特点。; 自由电子和空穴总是成对出现，所以也叫做电子空穴对。在电场作用下形成的漂移电流为 I漂移=I空穴+I电子 提问：当在光照或温度升高的情况下，在半导体中产生了能够自由移动的载流子，这时候本征半导体是电中性的吗？;四、本征浓度—载流子的产生与复合 产 生：受外界激发可产生电子空穴对。;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;;二、P 型、N 型半导体的简化图示;;3.扩散和漂移达到动态平衡;二、PN 结的特性;;正向电流是多子扩散引起，因此很大；而反向电流 是少子漂移所致，因此很小。 且少子数目有限，它并不总是随外加反向电压增大 而增大，外加电压达到一定值时，所有少子都参与 了导电，反向电流达到饱和。 这一反向电流称为反向饱和电流，记作IS。 注意！反向饱和电流是本征激发的少子形成的，所以 随温度变化而急剧变化！ 综上所述，PN结在正偏时容易导电，反偏时几乎不导电，这就是PN结的单向导电性。;三、PN 结的伏安特性及其表达式;;1、雪崩击穿 在低掺杂的PN结外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生新的电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对，使少子数量急剧增多，反向电流急???增大。 这种击穿也叫“碰撞电离”。 显然，雪崩击穿与掺杂浓度有关，掺杂浓度越低，此时空间电荷区较宽，在同样的外加电压下电场强度较小，所以需要的UBR值越大。;2、齐纳击穿 在高掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量新的电子、空穴对，使反向电流急剧增大。 这种击穿称为齐纳击穿或“场致电离”。 一般来说，对硅材料的PN结，UBR7V时为雪崩击穿； UBR 5V时为齐纳击穿； UBR介于5~7V时，两种击穿都有发生，取决于半导体的掺杂浓度。 不论哪种击穿，只要PN结不因电流过大产生过热而损坏，当反向电压下降到击穿电压以下时，此击穿可恢复。 ; 5、PN结的电容效应 PN结具有电容效应，它由势垒电容和扩散电容两部分组成。 1）势垒电容 CB 从PN结的结构看，在导电性能较好的P区和N区之间，夹着一层高阻的耗尽区，这与平板电容器相似。当外加反向电压减小时，耗尽区变窄，正、负离子减少，相当于存贮的电荷量减少；当外加反向电压增大时，多子被推离耗尽区，使正、负离子增多，相当于存贮的电荷量增加。 ;2）扩散电容CD 正向偏置的PN结，由于多子扩散，也会形成一种特 殊形式的电容效应。;CB、CD都随外加电压的变化而变化，所以势垒电容和扩散电容都是非线性电容。 由于CB和CD均等效地并接在PN结上，因而，PN结上的总电容Cj为两者之和，即Cj= CB + CD 。 正偏时以CD为主， Cj ≈ CD ，其值通常为几十至几百pF；反偏时以CB为主， Cj ≈ CB，其值通常为几至几十pF。 因为CB和CD并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。;6、 PN结的温度特性 PN结特性对温度变化很敏感，反映在伏安特性上即为：温度升高，正向特性左移，反向特性下移，如图中虚线所示。具体变化规律是：保持正向电流不变时，温度每升高1℃，结电压减小约2~2.5mV，即 Δu/ΔT≈-(2~2.5)mV/℃ 这也是普通二极管的温度系数。 ;温度每升高10℃，反向饱和电流IS增大一倍。如果温度为T1时， IS =IS1