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第 四 章 集成电路制造工艺;—制造业—;光刻 腐蚀 掺杂 氧化 成膜;集成电路制造工艺;光刻工艺;图形转换第一步：光刻;显影液;负胶: 曝 光 后 不 可 溶;正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条;几种常见的曝光方法 接触式曝光：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式; (a)接触式 (b)接近式 (c)投影式（掩膜版与硅片同步移动） 图6.2 三种光学曝光技术;表6.1 三种光学曝光技术对比 ;超细线条光刻技术 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻 X射线 离子束光刻;腐蚀工艺;;氢腐酸等腐蚀液;湿法腐蚀： 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差;干法刻蚀;溅射刻蚀装置;RIE刻蚀装置;掺杂工艺;掺 杂;(1)扩 散;;扩散掺杂原理;杂质横向扩散示意图;(2)离子注入;+;;;;退 火;+;+;氧化工艺;氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;成膜工艺;成膜方法之一:物理气