微电子与集成电路设计14导论.ppt

1.描述特性的两个量;电流漏和电流源特性;*;由上图可知，简单电流漏/源的输出电流受Vout影响，输出电压VOUT变化范围较小。;1.如果两个管的栅-源电压相等，并且匹配、工作在饱和区，那么，电流与管子的W/L比率相关。;2.如果两个管子的漏极电流相等，并且匹配、工作在饱和区， 那么，栅-源电压与管子的W/L比率相关。;电流镜基本上只是一个电流放大器。理想特性的电流放大器是： 输出电流正比于输入电流 iout = Ai iin 输入电阻为零 输出电阻无穷大 另外，VMIN不仅适用于输出，而且还适用于输入 VMIN(in) 是输入电阻不够小的vin的范围 VMIN(out) 是输出电阻不够大的vout的范围;假设;三、 影响电流比的因素;如果管子匹配且宽长比一致，那么;假设;2. 器件失配的影响;例：假设 L1=L2, W1=5±0.05, W2=20±0.05, 求比例误差。;这时，W1=5±0.05, W2=4(5±0.05);1.什么是理想的基准电流和电压？;二、简单偏置/基准电路;2.双极型电阻基准电压;3.MOS电阻基准电压;4.击穿二极管基准电压;1.自举电流源——阈值基准电路;2.基于发射极电压的基准电路;–差分对、电流镜…… –误差 ?集成电阻电容，20％－30％ ?合适匹配后，15％－0.1% –工艺导致不匹配 ?不统一的扩散 ?不统一的注入 ?CMP后的不完美平面 –片上变化导致不匹配 ?温度梯度 ?电压变化 ;中心思想： 使所有的东西尽量理想，使要匹配的器件被相同的因素以相同的方式影响;1.在处理匹配性要求高的对管（如差分输入对管）时，采用交叉对称的结构比较好。下图为晶体管交叉对称 。;;如果周边环境不同，会使工艺中的刻蚀率不同，比如：线宽大，刻蚀率大，刻蚀的快。刻蚀的快慢会影响线电阻等电学参数。 尺寸较大的管子被拆成小管子并联时，要在两端的小管的栅旁加上dummy gate，这样可以保证比较精确的电流匹配。 而且这种dummy gate的宽度可以比实际的栅宽小。 各个小管子的gate 最好用metal联起来，如果用poly连会引起刻蚀率的偏差。 ;图例;虚拟器件（dummy Element）;共质心版图;虚拟器件（dummy Element）;上机安排 时间： 第10周周四（5月7日）晚上7:00~10:00 第11周周四（5月14日）晚上7:00~10:00 地点： 科B451、453; 1、写出如图题3-1所示的CMOS电路对应的逻辑函数。