半导体物理02半导体中的缺陷和杂质资料.pptVIP

半 导 体 物 理 (Semiconductor Physics);第二章 半导体中的缺陷和杂质;理想的半导体晶体 ;;理论分析认为;2.1 硅、锗晶体中的杂质能级;两种杂质的特点;以硅中掺入磷（P）为例，研究Ⅴ族元素杂质的作用。当一个磷原子占据了硅原子位置，如图所示，磷原子有五个价电子，其中四个价电子与周围四个硅原子形成共价键，还剩余一个价电子。磷原子成为一个带有一个正电荷的磷离子（P+），称为正电中心磷离子。其效果相当于形成了一个正电中心和一个多余的电子。 ;多余的电子束缚在正电中心周围，但这种束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很小的能量就可以使多余电子挣脱束缚，成为自由电子在晶格中运动，起到导电的作用。这时磷原子就成了一个少了一个价电子的磷离子，它是一个不能移动的正电中心。 多余电子脱离杂质原子成为导电电子的过程称为杂质电离。使这个多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能，用ΔED表示。 实验测得，Ⅴ族元素原子在硅、锗中的电离能很小(即多余电子很容易挣脱原子的束缚成为导电电子)，在硅中电离能约为0.04~0.05eV，在锗中电离能约为0.01eV，比硅、锗的禁带宽度小得多。 ;Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而 产生导电电子并形成正电中心。称为施主杂质或n型杂质 施放电子的过程称为施主电离。 施主杂质在未电离时是中性的，称为束缚态或中性态， 电离后