半导体制造工艺10离子注入(下)资料.pptVIP

上节课主要内容;总阻止本领（Total stopping power）;表面处晶格损伤较小;EOR damage;晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。;损伤的产生;损伤区的分布;离子注入损伤估计;非晶化（Amorphization）;损伤退火 （Damage Annealing）;损伤退火的目的;损伤恢复机制（Damage Recovery Mechanism）;该{311}缺陷带在较高温度下（800～1000 ?C）即可退火修复，但是释放出大量填隙原子I。 损伤小于临界值，这些{311}缺陷可以完全分解，回复完美晶体。 损伤高于临界值，则{311}缺陷可能变成稳定的位错环，该位错环位于EOR，并难以去除。;退火 一定温度下，通常在Ar、N2或真空条件下 退火温度??决于注入剂量及非晶层的消除。 修复晶格：退火温度600 oC以上，时间最长可达数小时 杂质激活：退火温度650－900 oC，时间10－30分钟 * 方法简单 * 不能全部消除缺陷 * 对高剂量注入激活率不够高 *