1半导体器件课程.ppt

《电工学》 《模拟电子技术》 《数字电子技术》 《单片机》 《传感器》 《电工学》我们学到了什么？ 电能是怎么产生的？ 电能可以转换成其他哪些能量？ 电能除了转换成其他能量， 还有什么作用？ 传递和处理信号 ---电子技术 结构工程师 Pro/ENGINEER 简称proe 电子工程师（硬件、软件） 课程安排： 理论课 38学时 19次课 实验课 40学时 9次实验 成绩：理论考试 40% 实验考试 40% 平时成绩 20% 1.2 N型半导体和 P 型半导体 1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及其单向导电性 2.1 PN结的形成 2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压 反向偏置 2. PN 结加反向电压 反向偏置 PN 结有什么特性？ 3 二极管 3.1 基本结构 3 二极管 3.1 基本结构 3.2 伏安特性 3.3 主要参数 怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏？ 1.5V的干电池直接接到（正向接法）二极管的两端，会不会发生问题？ 某电路中，要求通过二极管的正向平均电流为80mA，加在上面的最高反向电压为110V，试从附录B中选用一合适的二极管。 4 稳压二极管 3. 主要参数 利用稳压二极管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？ 5. 2 电流分配和放大原理 1. 晶体管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 3 饱和区 5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 晶体管在输出特性的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大？ uI 8V，二极管导通，可看作短路， uO 8V uI 8V，二极管截止，可看作开路， uO ui 例1：已知： , 二极管是理想的，试画出 uO 波形。 8V 解：二极管阴极电位为 8 V。 参考点 二极管的应用举例 1. 二极管的限幅作用 该电路为正限幅电路 t uO O 2. 二极管的检波作用 t uR O 解： 解：二极管起检波作用，除去正尖脉冲。 VA VB, DA优先导通， 使VY 3V。 VB VY ，DB截止， 将VB与VY隔离。 3. 二极管的箝位和隔离作用 例3：图示电路中，输入端VA +3V, VB 0V，试求输出端 Y 的电位 VY 。 设DA、DB，为理想二极管。 解： VY A B -12V 0V +3V DA R DB DA 起箝位作用。 DB 起隔离作用。 1. 符号和外形图 UZ IZ IZM ?UZ ?IZ 2. 伏安特性 使用时要加限流电阻 O + – 稳定电压UZ 最大电流 工作电流 稳压二极管正常工作时加反向电压。 稳压二极管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 1 稳定电压UZ 稳压二极管正常工作 反向击穿 时管子两端的电压。 2 电压温度系数? u 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 3 动态电阻 4 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 5 最大允许耗散功率 PZM UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 5 双极型晶体管 5.1 基本结构 b 合金型 a 平面型 常见晶体管的外形图 晶体管的结构示意图和符号 a NPN型晶体管； b PNP型晶体管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VB VE 集电结反偏 VC VB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VB VE 集电结反偏 VC VB 晶体管电流放大的实验电路  设 UCC 6V，改变可变电阻 RB , 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表所示。 2. 各电极电流关系及电流放大作用 NPN型 共发射极接法 从电位的角度看： 发射结正偏 VB VE 集电结反偏 VC VB VCE VBE 结论: 1 IE IB + IC ，符合基尔霍夫定律 2 IC ?? IB ， IC ? IE 3 ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化。 a NPN 型晶体管； 电流方向和发射结与集电结