2 薄膜的物理气相沉积Ⅰ——热蒸发.pptVIP

第二章 薄膜的物理气相沉积（I） —— 蒸发法;特点： (1)需要使用固态的或者熔化态的物质作为沉 积过程的源物质； (2)源物质要经过物理过程进入气相； (3)需要相对较低的气体压力环境； 气相分子的运动路径近似为一条直线； 气相分子在衬底上的沉积几率接近100%。 (4)在气相中及衬底表面并不发生化学反应。;基本PVD方法： 蒸发法（10-3 Pa） （真空度较高，沉积速度较高，薄膜纯度较高，薄膜与基片结合较差） 溅射法（10-2 ~ 10Pa） （多元合金薄膜化学成分容易控制，沉积层对衬底的附着力较好） 离子镀、反应蒸发沉积、离子束辅助沉积等 ;;工作原理： 在真空环境下，给待蒸发物质提供足够的热 量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下， 蒸发粒子在基片上凝结，即可实现真空蒸发沉积。 步骤：①蒸发源材料由凝聚相转变成气相； ②在蒸发源与基片之间蒸发粒子的输运； ③蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、 成膜。;组成部分： 真空室； 蒸发源及蒸发加热装置；衬底放置及加热装置。;真空蒸发镀膜机 ;2.1.1 元素的蒸发速率;α — 系数，介于0~1之间； pe、ph — 平衡蒸气压和实际情况下的分压。;2.1.2 元素的平衡蒸气压;ΔH≈气化热ΔHe，则; 更准确地描述元素平衡蒸气压随温度的变化，需要代入实际的ΔH(T)函数形式。;2;2;物质的蒸发模式： 1. 即使是当温度达到熔点时，其平衡蒸气压也低于10-1 Pa。（大多数金属） 2. 低于熔点时，平衡蒸气压已经相对较高。 （Cr、Ti、Mo、Fe、Si）;化合物的蒸发: ①蒸气可能具有完全不同于蒸发源的化学成分; ②气相分子还可能发生化合与分解过程。;薄膜的物理气相沉积;合金蒸发： 合金中原子间结合力小于化合物中不同原子间结合力，合金中各元素的蒸发过程可以被近似视为各元素相互独立的蒸发过程，就像它们在纯元素蒸发时的情况一样。;以AB二元合金为例： 理想溶液，即两组元A-B原子间的作用能与A-A或B-B原子间的作用能相等； 拉乌尔定律 pB=xBpB(0) 非理想溶液 pB = αBpB(0)=γBxBpB(0) αB — 活度，“??效浓度”； γB — 活度系数，组元偏离理想溶液的程度。 ;合金组元蒸发速率之比; 对于初始成分确定的蒸发源，组元蒸发速率之比随时间而变化。 原因：易于蒸发的组元的优先蒸发使该组元不断贫化，进而使该组元蒸发速率不断下降。;开始蒸发时，Cr的初始蒸发速率为Ni的2.8倍。随着Cr的迅速蒸发，ΦCr/ΦNi会逐渐减小，最终会小于1。;解决办法： ①蒸发源使用较多，以减小组元成分的相对变化率； ②向蒸发容器中不断地、每次加入少量被蒸发物质，以实现瞬间同步蒸发； （能获得成分均匀的薄膜，可以进行掺杂蒸发，但蒸发速率难于控制，且蒸发速率不能太快） ③采用不同温度的双蒸发源或多蒸发源，分别控制和调节每一组元的蒸发速率。;Back;Back;2.2 薄膜沉积的厚度均匀性和纯度★ 2.2.1 薄膜沉积的方向性和阴影效应;蒸发源的形状： 点蒸发源（点源）：能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源。（距离衬底较远，尺寸较小） 面蒸发源;点蒸发源;衬底面积元dAs上沉积的物质量 　　　　dMs= Me/4π? dω ;　薄膜的沉积速率将与距离ｒ的平方成反比，并与衬底和蒸发源之间的方向夹角θ有关。 ;面蒸发源;;薄膜的物理气相沉积;常用蒸发源： 自由蒸发源 相当于面蒸发源。蒸发速率不仅取决于物质的平衡蒸气压pe，还和蒸发物质的实际分压ph有关。 克努森源 ( Knudsen cell） 相当于面蒸发源。有效蒸发面积小，蒸发速率低，蒸发束流方向性好。温度、蒸发速率可准确控制。 坩埚蒸发源 蒸发速率可控性等介于上面两种蒸发源之间。;Back;点蒸发源： 衬底上任意一点的膜厚;需要同时沉积的薄膜面积越大，沉积均匀性的问题越突出。;厚度均匀性的改善方法： 加大蒸发源到衬底的距离 ——降低沉积速率、增加蒸发材料的损耗 转动衬底 面蒸发源和衬底表面置于同一个圆周上 （同时需要沉积的样品较多、尺寸较小）;Back;衬底沉积物质的质量密度;Back;2.2.2 蒸发沉积薄膜的纯度;残余气体对于蒸发沉积薄膜的污染情况： 蒸发物质原子的沉积速率;薄膜的物理气相沉积;2.3 真空蒸发装置;2.3.1 电阻式蒸发装置;电阻材料的要求： 熔点高； 饱和蒸气