2014年秋季-微电子器件基础--第1章.ppt

* * * 1.6.2 硅、锗半导体的价带结构 A、价带顶在布里渊区中心 ； B、计电子自旋，价带包括一组4度简并态（重空穴能带、轻空穴能带）和一组2度简并态（自旋耦合分裂能带）； A、B、C由回旋共振确定 重空穴 能带 硅 锗 0.53 0.36 等能面为扭曲面， -- 自旋-轨道耦合分裂能量 A、B、C由回旋共振确定 自旋轨道耦合分裂能带 轻空穴 能带 等能面为扭曲面， 硅 锗 0.16 0.044 A由回旋共振确定 1.6.3 硅、锗半导体 、 方向的能带结构 Si L X Γ 4 3 2 1 0 -1 -2 Eg 4 Eg Ge L X Γ 3 2 1 0 -1 -2 Si Ge 能量（eV 能量（eV 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体能带 （主要应用于光电子器件、光电集成） ①第一布里渊区为截角八面体（14面体）; ②价带顶在布里渊区中心或中心附近，价带包括1个重空穴能 带、1个轻空穴能带、1个自旋-轨道耦合分裂能带; ③重空穴有效质量差别很小; ④若平均原子序数较高，其导带底在布里渊区中心，导带电 子有效质量较小。若平均原子序数较低，其导带底在 或 方向; ⑤大部分为直接带隙、室温下的禁带宽度在1eV以上; 1.7.1 共同特点 Ⅲ族元素：B、Al、Ga、In Ⅴ族元素：N、P、As、Sb 15种化合物半导体 1.7.2 锑化铟（InSb