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第七章 半导体存储器;只读存储器工作原理 ROM (Read-Only Memory) 工厂掩模只读存储器 PROM (Programable Read-Only Memory)可编程只读存储器 EPROM(Erasable ProgramableRead- Only Memory) 可编程只读存储器 E2PROM (Electric Erasable PROM) 电可擦除PROM Flash Memory 快速闪烁存储器 ;随机存储器工作原理 RAM (Random Access Memory) 随机存储器 SRAM (Static RAM)静态RAM DRAM (Dynamic RAM)动态RAM ;掩模ROM结构;*当A1A0 = 00时，W0 = 1 （而此时W3= W1= W2= 0） *当A1A0 = 11时，W3 = 1 （而此时W0= W1= W2= 0）； *当Wi = 1，而Wj= 0(j ≠ i)， （j=2n-1）（n为地址位数）；;地 址;两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”;4*4MOS管掩模ROM原理;掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜，非易失性;2. 可编程ROM（PROM）;编程原理： 在需要写入“0”的Dj上加入+20～25V/10ms正脉冲，加所选地址，使 Wi = 1，则Tj上熔丝被快速熔断（由 DZ击穿，经写入放大器AW），使该处 写“0” ;;3 .可擦除的可编程ROM（EPROM）;叠栅注入MOS（N型MOS）-- SIMOS管 （Stacked-gate lnjuction Metal Oxide-Semiconductor）;读出：浮栅上无存储负电荷时，在GC上加入正常高电平(3V左右)即可，使SIMOS导通，当浮栅上存储有负电荷时，必须在GC上加入更高的正电压才能抵消Gf上负电荷，使SIMOS导通，因此，在GC上加入一般正常高电平（3V）不会使SIMOS导通.;写入：在DS之间加VDS = +20～+25V；同时在GC上加（＋25V/50ms）正脉冲，则可在浮栅Gf上注入负电荷，即写“1”。未注入电荷为“0”，256×1位EPROM。 ;二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） ;① 读出：GC = +3V,Wi = +5V(选中) 当Gf上有负电荷时，T1截止，T2导通，Dj = 1（空片）； 当Gf上无负电荷时，T1导通，T2导通，Dj = 0；;②写“1”擦除 GC = +20V/10ms 正脉冲；Wi = +20V/10ms正脉冲； Dj = 0；写“1”给浮栅充负电荷;③写“0” GC = 0V；Wi = +20V/10ms正脉冲； Dj = +20V/10ms正脉冲；使Gf放电。故为写“0”。;;三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）;① ???：Wi = +5V,VDSS=0V 当Gf上无负电荷时，T1导通，Bj ＝0； 当Gf上有负电荷时，T1截止，Bj ＝1;②写“1” Wi = 正脉冲（12V/10μs），Bj ＝+6V；VSS = 0；使Gf充负电荷，即“1”。 ③写“0” GC＝0V；VSS = +12V/100ns，正脉冲，释放Gf上负电荷；Bj ＝0；;§2 随机存储器 RAM;1 .静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 ;存储容量1024*4Bits=4096Bits;二、SRAM的存储单元 ;§3. 存储器容量的扩展;例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM;;;例：用1K×4位RAM扩展成一个4K×8位存储器 用8片1K×4位RAM芯片，经字位扩展构成的存储器 ;§3.用存储器实现组合逻辑函数;例1：;例2 用ROM实现八段显示，用16×8位EPROM ;a = ∑（0、2、3、5、6、7、8、9、10、14、15） b =∑（0、1、2、3、4、6、7、8、9、10、13、14） c = ∑（0、1、3、4、5、6、7、8、9、10、11、13） d =∑（0、2、3、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14） e = ∑（0、2、6、8、10、11、12、13、14、15） f =∑（0、4、5、6、8、9、10、11、14、15） g = ∑（2、3、4、5、6、8、10、11、12、13、14、15） h =∑（0、1、2、3、4、5、6