第三章半导体二极管及基本电路精编.ppt

第 3 章 二极管及基本电路; 一. 半导体材料;二. 半导体的共价键结构;1.本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体;+4;3.本征半导体的导电机理; 结论： ;四. 杂质半导体;2、N 型半导体;杂质半导体的示意表示法：; 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:;本 节 小 结;3.2 PN结的形成及特性;P型半导体;1. 载流子的浓度差引起多子的扩散;二、PN 结的单向导电性;2. 外加反向电压(反偏);三、PN 结的伏安特性;四、PN 结的反向击穿特性;反向击穿原因： ;1.势垒电容CB (PN结反偏);3.3 半导体二极管;点接触型二极管;1、PN 结的伏安特性方程;2、二极管的伏安特性;硅管的伏安特性;3).反向击穿特性：;三. 二极管的主要参数;3.4 二极管基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2、恒压降模型;+;vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。;vD;1.整流电路;2、二极管电路静态工作分析;理想模型:;3.限幅电路;例 一二极管开关电路如下图所示。用理想模型分析当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。;例：电路如图所示，求AO的电压值;5. 低电压稳压电源;6.小信号工作情况分析;3.5　特殊二极管;主要参数;5.) 稳定电压温度系数 CT;并联式稳压电路;稳压二极管的应用举例;VI; 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的二极管称为变容二极管。 ;2 肖特基二极管; 光电二极管的结构与PN结二极管类似，但在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。; 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的。当这种管子通以电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。; 激光二极管的物理结构是在发光二极管的结???安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。