Ch.4电工电子学探析.pptVIP

Chapter 4;; 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，即根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;物质分类;纯净的、具有晶体结构的半导体。 ;本征激发;2. 杂质半导体;4.1.2 PN结; PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。;4.2 半导体二极;3.平面型二极管;60; 当反向电压增大至U(BR)时，反向电流将突然增大。 二极管失去单向导电性。;4.2.3 主要参数;4.2.4 二极管的电路模型;4.2.5 二极管应用电路;2. 限幅电路;3. 判断二极管在电路中的工作状态;例4.1;4.2.6 特殊二极管; 稳压管的主要参数：; 电阻的作用: ?起限流作用，以保护稳压管； ?当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。; 稳压条件是什么？;2.发光二极管;3.光电二极管;4.3 双极型三极管;1. 三极管的结构与符号;按结构可分为：NPN型和PNP型。;发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。;用实验说明三极管的电流分配与放大作用;IB/mA;NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 UC UB UE;例4.3;（a）;分析： 1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE， PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。 2）硅管|VBE|=0.6~0.8V，锗管 |VBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。 3）余下一电极为集电极。 4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。;输入特性曲线;输出特性曲线;三极管及其放大电路;4. 三极管的主要参数;（2）极间反向电流;（3）极限参数;3）集电极最大允许功率损耗PCM;4. 三极管的其它形式;（2）光电三极管和光电耦合器