金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管精编.ppt

4.3 金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) ;4.3.1 N沟道增强型MOSFET;结构与符号;2. 工作原理 ;(1) vGS =0 , vDS≠0;P;P;P;P;P;a. vDS升高;b. 当vGD =vGS–vDS=VT时;c. 当vDS进一步增大;3．特性曲线 ;管子工作于恒流区时函数表达式;4．参数;4.3.2 N沟道耗尽型MOS管 ;绝缘层中渗入了正离子;导电沟道增宽;4.3.3 各种FET的特性比较及使用注意事项 见表4.3.1;MOSFET符号;场效应管的特点（与双极型晶体管比较）;双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。;(5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。;场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。