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4.3 双极型三极管;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;1. 晶体管的结构和类型;2. 晶体管的电流分配关系和放大作用 ;共射接法。;⑴ 晶体管内部载流子的运动;⑵ 晶体管的电流分配关系;⑵ 晶体管的电流分配关系;系数 代表iB对iC的控制作用的大小， 越大，控制作用越强。;⑶ 晶体管的放大作用;⑷ 关于PNP型晶体管;3. 晶体管的特性曲线;μA;⑴ 共射输入特性 ;输入特性有以下几个特点： ; uCE增加，特性曲线右移。
uCE的大小影响基区内集电结边界电子的分布。
uCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。
uCE≥1V以后，基区中集电结边界处的电子浓度很低。
与二极管的伏安特性相似
uBEUr 时，iB =0； Ur =0.5V (Si)
Ur =0.1V (Ge)
正常工作时
uBE=0.7V (Si)
uBE= 0.2V (Ge);c;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;4. 晶体管的主要参数;⑴ 电流放大系数 ;⑴ 电流放大系数 ;表示集电极负载短路（即uCE保持不变）的条件下，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，即;值的求法：;用同样办法可以求出3AX3工作在B点的 值。 ;定义;⑵ 极间反向电流;① 集电极-基极反向饱和电流ICBO;② 穿透电流ICEO;② 穿透电流ICEO;⑶ 极限参数 ;① 集电极最大允许耗散功率PCM ;① 集电极最大允许耗散功率PCM ;② 反向击穿电压 ;③ 集电极最大允许电流ICM ; ① 共发射极截止频率;② 特征频率fT ;5.温度对晶体管参数的影响 ;① 温度对ICBO的影响 ;② 温度对 的影响;晶体管的曲线随温度升高间距增大。 ;③温度对基-射电压uBE的影响;iB(uA)
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