半导体光电子学复习研究.ppt

本征半导体 本征半导体不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。;N型半导体 也称为电子型半导体,其自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多数载流子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。;PN结 把P型半导体和N型半导体结合在一起，P区（P型半导体）中空穴浓度大，N区中电子浓度大。因此在两者的结合面会发生电子与空穴的扩散。空穴和电子会相互越过交界面进行复合，这样就在N区靠近交接面处带正电荷，在P区靠近交接面处带负电荷，即在P区和N区交界面的薄层区内一边带正电荷，一边带负电荷，这个薄层称之为PN结。 ;异质结 两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。不同的半导体各具不同的带隙能量。;简并半导体 当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂（施主杂质或是受主杂质的浓度很大），即费米能级进入了价带或导带的半导体。 ;带隙 导带与价带间的的能量差，或者叫禁带宽度。;费米分布 热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布的一个统计分布函数 ;同色异谱;;;外光电效应 　外光电效应是指物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下，金属会吸收光子并发射电子，发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值（相等于光的频率高于某一临界值）时方能发射电子，其临界值即极限频率和极限波长。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而非光的强度.;施主杂质 施主能级 当V族元素P在Si中成为替位式杂质且电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质.成键后，P 原子多余 1 个价电子. (1)比成键电子自由得多，ED EV (2)与导带电子也有差别（受到 P+ 库仑吸引作用）;施主杂质 施主能级(续前);受主杂质 受主能级 当III族元素B在Si中成为替位式杂质且电离时，能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质;受主杂质 受主能级(续前);光电二级管的量子效率;雪崩倍增因子 在雪崩区中载子的倍增的倍数与此区中撞击电离几率有关，也就是与此区的电场有关，亦即与反向偏压Vr有关。APD的整体或有效的雪崩倍增因子(avalanche multiplication factor) M定义为 是一次的没有经过倍增的光电流，这个电流是在没有倍增之下测量的，比如在小的反向偏压下测量。;视敏函数 在等能量分布的光谱中，虽然各种波长的光辐射功率相同，但是人眼感到最暗的是红色，其次是蓝色与紫色，而最亮的则是黄绿色。由此可见，人眼对不同波长的光具有不同的视觉敏感程度。显然，人眼的视敏度是波长的函数，我们通常将这一关系称为视敏函数。;状态密度 晶体中每单位体积，单位能量的电子能态（电子波函数）的数目。;替位式杂质和间隙式杂质 A－间隙式杂质原子：原子半径比较小 B－替位式杂质原子：原子的大小与被 取代的晶体原子大小比较相近;本征半导体的特点： 在0K时,呈绝缘体特征； 在TK时，受热激发（本征激发）；产生电子空穴对； 在TK时，有两种载流子可以参与导电，即自由电子和空穴。;举例说明半导体材料的分类 按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。;简要阐述半导体中电子扩散与漂移的区别. 扩散运动是由载流子的浓度差引起的，浓度高处的载流子总是要向浓度低处扩散运动。漂移：假设给半导体一个电场，此场产生力作用在自由电子及空穴而产生漂移。电子和空穴在电场E的作用下，要发生漂移运动。电子逆场强方向运动，空穴则顺场强方向而运动。 扩散(diffusion)：由浓度改变(浓度梯度)所引起 漂移(Drift)：由电场引起;简要阐述光电效应(包括外光电效应和内光电效应). 光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，也就是光能量转换成电能。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。 　　光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。;对照下图简要绝缘体、半导体、导体之间的区别。;绝缘体：价电子与