电路4.3课题.pptVIP

4.3 双极型三极管;;按结构可分为：NPN型和PNP型。;PNP型;发射极的箭头代表发射极电流的实际方向;2. 晶体管的电流分配关系和放大作用;三极管的三种连接方式 ;共射接法;⑴ 晶体管内部载流子的运动;⑵ 晶体管的电流分配关系;C;电流iC由两部分组成： 一部分是ICEO，它是iB=0时流经集电极与发射极的电流，称为穿透电流。;⑷ 关于PNP型晶体管;3. 晶体管的特性曲线;;⑴ 共射输入特性 ;输入特性有以下几个特点： ; uCE增加，特性曲线右移。 uCE的大小影响基区内集电结边界电子的分布。 uCE≥1V以后，特性曲线几乎重合。 uCE≥1V以后，基区中集电结边界处的电子浓度很低 与二极管的伏安特性相似 uBEUr 时，iB =0； Ur =0.5V (Si) Ur =0.1V (Ge) 正常工作时 uBE=0.7V (Si) uBE= 0.2V (Ge);;⑵ 共射输出特性 ;⑵ 共射输出特性 ;实际上，三极管在iB=0时并没有完全截止。为使三极管真正截止，必须给发射结加反向偏压，使发射区不再向基区注入载流子。;饱和区: 指输出特性中iC上升部分与纵轴之间的区域。饱和区特性曲线的特点是固定iB不变时，iC随uCE的增加而迅速增大。;饱和区是对应于uCE较小（uCEuBE）的情况。这时集电结和发射结都处于正向偏置（uBEUr，uBC0)。;放大区: 输出特性上在饱和区和截止区之间的区域为放大区。在这个区域里，iB0，uCEuBE，即发射结是正向偏置，集电结是反向偏置。;放大区的特点：iB固定，uCE增加?iC略有增加。 uCE固定，iB变化?iC变化很大，iB对iC的强烈控制作用;4. 晶体管的主要参数;⑴ 电流放大系数 ;⑴ 电流放大系数 ;表示集电极负载短路（即uCE保持不变）的条件下，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比，即;值的求法：;用同样办法可以求出3AX3工作在B点的 值。 ;定义;⑵ 极间反向电流;反向电压大小改变时，ICBO的数值可能稍有改变。 ICBO是少数载流子电流，受温度影响很大，ICBO越小越好。 硅管的ICBO比锗管的小得多，要求在温度变化范围宽的环境下工作时，应选用硅管；大功率管的ICBO值较大，使用时应予以注意。;② 穿透电流ICEO;② 穿透电流ICEO;⑶ 极限参数 ;① 集电极最大允许??散功率PCM ;曲线的左下方均满足此之此PCPCM条件。 ;② 反向击穿电压 ;③ 集电极最大允许电流ICM ;① 共发射极截止频率;5.温度对晶体管参数的影响 ;① 温度对ICBO的影响 ;② 温度对 的影响;③温度对基-射电压uBE的影响;