中国科大半导体器件物理课件2.ppt

第二章 p-n结;PN结简介 热平衡下的pn结 耗尽近似条件 ;PN结简介;理想二极管;PN结基本工艺制造方法;平面工艺中主要工序;? 晶体生长与外延 —从熔体中生长单晶：直拉法(Si)和布里奇曼法(GaAs) 原材料：石英砂 SiC(固体)+SiO2(固体)?Si(固体)+SiO(气体)+CO(气体) 冶金级硅 电子级硅（ppb量级） 硅片成形:前处理?切片?双面研磨?抛光 —外延：除常规外延工艺(如气相外延VPE)外，还有液相生长法（广泛应用于化合物半导体）及绝缘体上硅分子束外延等。 ;? 氧化与薄膜淀积 —四大类薄膜： 热氧化膜、电介质膜、多晶硅膜和金属膜 —热氧化膜：如栅氧化层、场氧化层 —介质膜：如淀积的SiO2、Si3N4膜（绝缘层、掩蔽膜、覆盖在掺杂的薄膜上、钝化） —多晶硅膜：MOS栅、多层金属化的导电材料、浅结器件的接触材料 —金属膜：如铝和硅化物（欧姆接触、整流、互连线）;? 扩散与离子注入 用可控制数量的杂质掺入半导体 ?扩散：掺杂分布主要由扩散温度及扩散时间决定，用于形成深结： 扩散流密度F(单位时间通过单位面积的杂质原子数）： C为杂质浓度，D是扩散系数 ?扩散过程的基本起因是浓度梯度 ?扩散结果评价：结深（染色法）、薄层电阻（四探针法）、扩散层杂质分布（SIMS） ?杂质再分布;?离子注入：掺杂分布主要由离子质量和注入离子的能量决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形成浅结 ?由于离子注入形成损伤区和畸变团，为了激活注入的离子：退火;? 光刻—图形曝光与刻蚀 —0.1?m以内仍采用光学光刻技术 —短波长的射线：1nm波长软X射线、13nm波长极紫外线、电子束曝光;(a)突变结 (b)线性缓变结;热平衡条件;热平衡条件;在界面处存在空穴和电子的浓度梯度，使得空穴由P区向N区扩散，电子由N区向P区扩散，两者都在扩散过程中通过复合而逐渐消失。这样，在结两侧附近电中性被破坏，杂质离子显露出电性，称为空间电荷。 空间电荷区：存在空间电荷的区域 自建电场（或内建电场） 这种平衡是一种动态平衡。;1. 热平衡下P区与N区的费米能级相等;2. 内建电势（接触电势差）;内建电势的另一种求法：;耗尽近似条件;耗尽区（空间电荷区）、过渡区;§2.2 耗尽区（耗尽层）和耗尽层电容;1. 突变结;利用耗尽区近似得：;电势分布;耗尽区;内建电势;耗尽区宽度;单边突变结;对p＋n结：;单边突变结;例：硅的单边突变结，NA＝1019cm－3，ND＝1016cm－3，求零偏压下300K时耗尽层宽度和最大电场强度。;2.线性缓变结;泊松方程 由电场边界条件： 可得电场分布：;电势分布;线性缓变结;可以求得 内建电势： ;Si和GaAs线性缓变结的内建电势和杂质梯度的关系图（cm-4） ;3. 非平衡PN结;不同电压偏置下的p-n结 ;准费米能级;波尔兹曼关系;P-N结正向注入效应 ;反向偏压下的P-N结;正向偏置;非平衡情况下空间电荷区宽度的变化 ;4. 耗尽层电容;P-N结势垒电容;单位面积耗尽层电容 ;（1）突变结势垒电容;（2）线性缓变结势垒电容;（3）C-V特性;§2.3 pn结的直流特性; P-N结电流的传输与转换过程及电流密度分布 ;PN结的电流组成;理想伏安特性 ;基本方程组;I-V Characteristic;I-V Characteristics;肖克莱方程;I-V 特性曲线图 ;讨论;反向偏置 当P-N结反向偏置时，由耗尽近似知，势垒区中的载流子浓度n=p=0，此时电子和空穴的产生过程占支配地位，俘获过程并不重要。 势垒区中产生电流密度为 P-N结反向电流为反向扩散电流与反向产生电流之和 ;正向偏置 对于P+-N结，总的正向电流为 正向电流密度常用下列经验公式表示 ;在P-N结中，当注入的少数载流子浓度达到甚至超过多数载流子浓度时，称为大注入。大注入只在正向偏置中存在。 大注入时的边界条件为 ;大注入下通过P＋-N结的总电流可表示为： 同理可得，对于大注入到p区的电子电流 ;①大注入使扩散系数加倍，少子扩散系数由DP增加到2DP，此时，漂移电流和扩散电流各占一半。 ②大注入时电流对电压的依赖关系由小注入的exp(qV/kT)变为exp(qV/2kT)，电流随电压增加的速度变慢。 ③大注入的电流密度与N区掺杂浓度无关，只与ni成正比。而小注入下与ni2/ND成比例。;大电流时，在串联电阻R（包括中性区的电阻和非理想欧姆接触的电阻）上的压降不能忽略。 实际加在势垒上的电压只有V－IR，因此 电流随正向电压增加的速度变慢 ;工作温度对器件的性能影响很多，无论是正偏还