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第十二章 化学传感器;化学传感器;电化学传感器; ; Zn(s) + Cu2+(aq) Zn2+(aq) + Cu(s) 在溶液中电子直接从Zn片传递给Cu2+，使Cu2+在Zn片上还原而析出金属Cu，同时Zn氧化为Zn2+。 这个反应同时有热量放出，这是化学能转化为电能的结果。;电化学反应：在电极和溶液界面上进行电能与化学能之间的转变反应。 微观：带电粒子如电子、离子的转移。 实质：氧化还原反应过程。;电化学(Electrochemistry) ：电化学主要是研究电能和化学能之间的相互转化及转化过程中有关规律的科学。;1、活度和活度系数;从大量实验事实看出，影响离子平均活度系数的主要因素是离子的浓度和价数，而且价数的影响更显著。 1921年，路易斯（Lewis）提出了离子强度的概念。当浓度用质量摩尔浓度表示时，离子强度等于： 式中ci是离子的真实浓度，若是弱电解质，应乘上电离度。通过I 可求得平均活度系数。;2、电极电势和电动势;电极电势的产生原理;离子浓度对电势的影响——能斯特方程; 以Cu-Zn原电池为例，其电极反应为： Zn+Cu2+ = Zn2++Cu 通过热力学推导，可得电池的电动势：;对于任意反应： aA+bB = dD+eE 电池的电动势为： 此方程即能斯特方程。 当T=298 K时，能斯特方程为：;3.1标准氢电极;原电池的电动势： E池 ＝ ??正－??负 ＝ ??阴－??阳 ;甘汞电极;银/氯化银电极;3.3指示电极、工作电极;1.离子选择性电极（ISE）;ISE结构;ISE的分类;四、离子敏场效应晶体管(ISFET);1、场效应管的结构; VGS使栅极下的P型衬底表面大量积聚电子而形成反型层; 当VGS≥VTH时，形成强反型层，在S-D之间形成n型沟道。;若S和D之间施加电压，带电粒子将沿着该沟道流通，形成漏源极之间的沟道电流，又称作漏电流（ID）。; 当VDS＜（VGS – VT）时（场效应管工作在非饱和区):;1、离子敏场效应管的结构;参比电极︱被测溶液︱离子敏感膜;实际施加于场效应管绝缘膜和半导体表面上的电压：; 非饱和区：;3、离子敏场效应管特性; 动态响应：离子活度变化时，输出随时间而变化的情况。; 迟滞：离子活度不同向变化条件下，输出的重复程度。; ISFET以普通FET为基本，具有FET的优良特性，如转移特性、输出特性、击穿特性等。而作为离子敏器件，它还应满足敏感元件的一些基本特性要求。;(三) ISFET的结构和分类;(1) 探头式结构 结构特点：有软线式和硬杆式两种，基本是将芯片粘在绝缘材料或敷铜板上，与电极引线连接好后，用硅橡胶或环氧树脂包封制造，此结构由于采用的是印刷电路制作工艺，比较易于实现并有利于集成化。 ;(2) 探针式结构 结构特点： 采用Si的各向异性腐蚀技术，将ISFET器件制成针状，将芯片装在探针前端，在敏感膜以外区域用无机钝化膜包封，这样可做成端部宽度只有30~50μm的ISFET； 另外用等离子蚀刻技术还可制成端部达10μm的ISFET。所以探针式结构的ISFET对微量试液如胃液、淋巴液、婴儿血样等的分析较为适用 。;(3) 导管复合式结构 结构特点：是将微型参比电极与ISFET芯片共同封装在一个导管中，使得测量可以一次性完成，特别适用于体内液的测量。 ;(4) 背面引线ISFET结构 结构特点：此工艺是为避免采用平面工艺设计中容易引起的封装困难、敏感膜容易被极化失效等缺点而设计的：将电极与敏感膜分别作在硅片两面，使器件的化学敏感部分和电测量部分隔离。此结构性能较好，发展潜力较大，但还不太成熟。 ;(5) SOS型结构 结构特点：是为了保证液体与晶体材料之间有良好的绝缘性而设计的，是以蓝宝石为基底并在其上生成场效应管FET，然后在它们的表面覆盖绝缘层的制作方法。此结构包封简单，性能稳定且较为可靠。;（四） ISFET的应用;五、气体传感器;（一）电化学气体传感器;1. 气敏电极;其电流大小与Po2呈线性关系;Clack电极;（2）CO2电极(Pco2电极）;（二）半导体气体传感器;（1）电阻型气敏传感原理; 晶粒与晶粒相互接触的表面(即晶界)存在着势垒qVs;当表面吸附还原性气体时;当SnO2表面吸附氧化性气体（如O2）时;烧结型、薄膜型和厚膜型三种，敏感元件多为SnO2。;（2）电阻式气敏传感器特性; 湿度的影响;2、MOSFET气敏传感器（非电阻型）;氢气吸附于Pd栅膜表面，氢分子在栅表面迅速分解为氢原子;灵敏度：阈值电压?VT与气体浓度的关系。;温度特性：阈值电压随温度的变化关系;响应特性：器件对气体浓度的动态变化的响应能力。;气体