大连理工传感器原理及应用-第8章-113技巧.ppt

;第八章;; 第八章 光电式传感器 ;光波：波长10~106nm电磁波。 可见光波长：380~780nm； 紫外线波长：10~380nm； 红外线波长：780~106nm。;一、光的特性;二、常用光源;二、常用光源; 第八章 光电式传感器 ;一、光电效应基本概念;外光电效应：物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。 基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。;内光电效应：当光照在物体上，使物体的电导率发生变化或产生光生电动势的效应。 光电导效应和光生伏特效应。;（1）势垒效应（结光电效应） 光照射PN结时，若hυ≧Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。;（2）侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，因载流子浓度梯度而产生侧向光电效应。 光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对，光照部分载流子浓度比未受光照部分的大，就出现浓度梯度，因而载流子要扩散。; 第八章 光电式传感器 ;光电管：外光电效应器件。;光照很弱时，光电管产生的电流很小，为提高灵敏度常常使用光电倍增管。 如核仪器中闪烁探测器多使用光电倍增管做光电转换元件。;光敏电阻：内光电效应器件。;（1）暗电阻、暗电流、亮电阻、亮电流、光电流 暗电阻：光敏电阻在未受到光照时的阻值，此时流过的电流为暗电流。 亮电阻：在受到光照时的电阻，此时的电流称为亮电流。 光电流：亮电流与暗电流之差。;（3）光谱特性 光谱响应：光敏电阻灵敏度与入射波长有关。 光敏电阻灵敏度与半导体掺杂的材料有关。 材料与相对灵敏度峰位波长： 硫化镉，300～800nm，在可见光区域，常被用作光度量测量（照度计）的探头。 硫化铅，1000～2500nm，响应于近红外和中红外区, 常用做火焰探测器的探头。;（4）伏安特性 所加电压越高，光电流越大，而且没有饱和的现象。但受最大功耗限制。 在给定的电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。;（6） 稳定性 初制成的光敏电阻，由于电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，性能不稳定。但在人工加温、光照及加负载情况下，性能可达稳定。光敏电阻在最初的老化过程中，阻值会有变化，但最后达到稳定值后就不再变化。这是光敏电阻的主要优点。 光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下几乎是无限长的。 ;（1）光敏二极管 结构与一般二极管相似。在透明玻璃外壳中，PN结装在管的顶部，可直接受到光照射。 光敏二极管在电路中一般处于反向工作状态，在没有光照射时反向电流很小，称为暗电流；光照射在PN结上，PN结附近产生光生电子—空穴对，在PN结处内电场作用下定向运动，形成光电流。光的照度越大，光电流越大。;（2）光敏三极管 与一般晶体管相似，具有两个PN结，只是发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。;（3）达林顿光敏管 光敏晶体管的光电灵敏度虽然比光敏二极管高得多，但在需要高增益或大电流输出的场合，需采用达林顿光敏管。;（1）光谱特性 光敏管的光谱特性是指在一定照度时，输出的光电流（或用相对灵敏度表示）与入射光波长的关系。 硅和锗光敏管光谱特性曲线： 硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm，此时灵敏度最大，当入射光波长增长或缩短时，相对灵敏度都会下降。;（2）伏安特性 硅光敏晶体管的伏安特性，纵坐标为光电流，横坐标为集电极-发射极电压。 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性一样。只需把光通量看作基极电流即可。 晶体管具有放大作用，在同样照度下，光电流比相应的二极管大上百倍。 ;（3）频率特性 光敏管的频率特性是指光敏管输出的光电流（或相对灵敏度）随频率变化的关系。 光敏二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达10μs。 光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。 ;（4）温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。 从光敏晶体管的温度特性曲线可看出：温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。 因此，光敏晶体管作为测量元件时，在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 ;（5）光照特性 光敏三极管的光照特性近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件。;光电池是利用光生伏特效应把光能直接转变成电能的光电器件。 光电池可把太阳能直接转变为电能，因此又称为太阳能电池。 光电池有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。故光电池是有源元件。 光电池有硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池、硫化铊光电池、硫化镉光电池等。 目前，应用最广