半导体物理总复习2.pptVIP

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半导体物理总复习2

半导体物理复习2;3.2 费米能级和载流子的统计分布;第四章半导体的导电性;载流子的散射;3。什么是载流子的散射?半导体中载流子的有哪两种主要散射机制 载流子在半导体中运动时,不断地与热振动的晶格原子或电离的杂质离子发生碰撞,碰撞后载流子的运动速度的大小和方向发生了改变。用波的概念,就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。 ;电离杂质散射时:;晶格振动散射:;三. 迁移率与杂质和温度的关系;任何情况下,几种散射机制都会同时存在;4. 半导体的电阻率(或电导率)与那些因素有关;二.例题;查图4-14(b)可知,这个浓度下,Ge的迁移率;例2 特定半导体内存在三种散射机制。只存在一种散射机制时的迁移率为 ,只存在第二种散射机制时的迁移为 ,只存在第三种散射机制时的迁移率为 求总迁移率。;第五章 非平衡载流子;3.什么是准费米能级? 在非平衡状态下,由于导带和价带在总体上处于非平衡,因此就不能用统一的费米能级来描述导带中的电子和价带中的空穴按能量的分布问题。但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自的能带中处于准平衡分布,可以有各自的费米能级 称为准费米能级,准费米能级分离的程度,即 的大小,反映了与平衡态分离的程度 ;5.4复合理论;;位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心 一定的杂质能级能否成为陷阱,还决定于能级的位置,杂质能级与费米能级重合时,最有利于陷阱作用。 当ET在EF之上时,越接近EF的能级,陷阱效应越显著。 电子落入陷阱后,基本上不能直接与空穴复合,它们必须首先激发到导带,然后才能通过复合中心而复合,所以陷阱的存在大大增加了非平衡态恢复到平衡态的驰豫时间,使非平衡载流子寿命增加。 ;5.3准费米能级;5 .什么是载流子的扩散运动?写出电子和空穴的扩散电流密度方程 当半导体内部的载流子存在浓度梯度时,引起载流子由浓度高的地方向浓度低的地方扩散,扩散运动是载流子的有规则运动。;达到稳态分布,即空间任一点,单位体积内的载流子数目不随时间变化,则由于扩散,单位时间单位体积内累积的载流子数目等于复合掉的载流子数目。;二、基本公式;; 连续性方程应用举例:;3、无飘移电流或无电场;三.例题;例题2;例3;第十二章 霍耳效应;第十二章 霍耳效应;;假设只有一种载流子导电

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