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- 2016-07-31 发布于湖北
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第一章 常用半导体器件;第一章 常用半导体器件;§1 .1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通:
耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。;四、PN 结的电容效应;§1.2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性;三、二极管的等效电路;四、二极管的主要参数;四、二极管的主要参数;五、稳压二极管;发光二极管;光电二极管;§1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;电流分配: IE=IB+IC
IE-扩散运动形成的电流
IB-复合运动形成的电流
IC-漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;1.4 场效应管; 场效应管(FET)利用输入电压来控制输出电流。;1.4.1、结型场效应管; N沟道结型场效应管的基本结构;符号;外部条件;(1)栅-源电压uGS对导电沟道宽度的控制作用;(2)当uGS一定时(VpuG
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