哈工大微电子02工艺氧化.pptVIP

第一章 内容总结 硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞 基本参数 {111}晶面解理性 硅晶体缺陷 结团作用；缺陷的去除 硅中杂质；固溶体；固溶度 相图 硅单晶片制备 多晶硅制备；直拉法原理；提拉速度；分凝； CZ法熔料中环流形成； 硅片制备流程；主要晶向、晶型的定位方式 微电子工艺（2）--氧化 田丽 第2章 氧化 2.1 SiO2的结构及性质 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.3 氧化机理 2.4 氧化系统、工艺 2.5 影响氧化速率的各种因素 2.6 杂质再分布 2.7 SiO2/Si界面特性 2.8 氧化层的检测 2.1 SiO2结构及性质 二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。 二氧化硅薄膜的制备方法有：热氧化、化学气相淀积、物理法淀积，阳极氧化等多种方法。 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 用途 作为掩蔽膜 在单晶硅定域掺杂时作为掩蔽膜 作为钝化和保护膜 在器件或电路的表面，淀积一层SiO2可以保护器件或电路使之免于沾污；避免化学腐蚀。 作为电隔离膜 SiO2介电性质良好，集成电路元件之间的介质隔离或者多层布线的电隔离膜。 元器件的组成部分 做MOS器件中栅极电极等。 在DROM中的应用 SiO2结构模型 结构 理化性质 密度 是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度高，约2-2.2g/cm3； 熔点 石英晶体173