电池片工艺流程培训分析.pptx

电池片制程工艺流程及控制点1Nov2010许志法OutsourcingQuality2太阳电池的工作原理——光生伏特效应吸收光子，产生电子空穴对。电子空穴对被自建电场分离，在PN结两端产生电势。将PN结用导线连接，形成电流。在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。3太阳能电池工艺基本流程去除硅片表面油渍、金属杂质及损伤层，生成绒面，减少光反射，增加光吸收形成PN结刻蚀边沿N型硅并去除因扩散生成的PSG减少反射，钝化界面形成电极一前清洗45前清洗的功能前清洗(制绒)的目的：形成绒面，减少光的反射，增加硅片对太阳光的吸收,最终提高电池的光电转换效率去除硅片表面的机械损伤层清除表面油污和金属杂质绒面陷光原理图去除机械损伤层6前清洗制绒后的绒面多晶酸制绒后wafer表面形貌单晶碱制绒后wafer表面形貌金字塔状蜂窝状7前清洗工序步骤和作用（酸制绒）81）工序步骤制绒→碱洗→酸洗→吹干2）用到化学品：硝酸HNO3，氢氟酸HF，氢氧化钾KOH，盐酸HCL3）单面腐蚀深度3.2-4.2微米4）滚轮速度范围0.5~1.5m/min(注:前清洗速度最好不要超过1.2m/min，速度过快，一方面硅片清洗或吹不干净，扩散容易出现蓝黑点片；另一方面碎片高，有时碎片会堵住喷淋口，清洗后出现脏片)前清洗腐蚀深度9制绒工序控制及注意事项片子表面5S控制不容许用手摸片子的表片，要勤换手套，避免扩散后出现脏片。工序产品单面腐蚀深度控制在3.7±0.5μm范围之内,范围以外的必须通知当班工艺技术员或工程师来做出调整。前清洗到扩散的产品时间:最长不能超过3小时,时间过长硅片会污染氧化，到扩散污染炉管,从而影响后面的电性能及效率，如超过3小时要进行酸洗返工。10产线常见的不良图片制绒后油污药液残留制绒后表面发白反应残留物二扩散1112PN结的形成扩散的目的：形成PN结13主要化学品：三氯氧磷POCl3（剧毒品），热分解的反应式为：POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的扩散化学反应原理14在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一目前生产中，测量扩散层薄层电阻采用四探针法扩散方块电阻控制在68±10Ω/□之间扩散工艺中的方块电阻四探针测试仪15扩散间的环境温度要保持在23±3℃，湿度在50%以下。如果环境条件不符合要求，及时通知外围！整个生产过程中必须配戴双层手套(棉布手套和PVC手套)，必须带口罩,严禁不戴手套接触硅片,严禁用手(包括戴手套)直接接触硅片绒面。卸片时绒面不能相互摩擦。各个炉管内的石英舟不可以接触除石英桌面外的任何地方,任何金属物品不许放在石英桌面上,避免沾污。方块电阻平均值如不在68±10Ω/□范围内，需将信息反馈给工艺人员做调整。（安排返工）扩散工序控制及注意事项16产线常见的不良图片扩散后蓝点扩散后划痕扩散后黑点17湿法刻蚀目的:利用HNO3和HF的混合液体对硅片表面进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘PSGn+Si刻蚀前刻蚀后去除磷硅玻璃的目的：磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减死层的存在大大增加了发射区电子的复合，导致少子寿命降低，进而降低了Voc和Isc三后清洗18后清洗工序步骤和作用19硅片各边的绝缘电阻1000欧姆滚轮速度范围0.5~1.5m/min(注:后清洗速度最好不要超过1.35m/min，速度过快，一方面硅片清洗或吹不干净，PECVD容易出现白点片；另一方面碎片高，有时碎片会堵住喷淋口，清洗后出现脏片)刻蚀厚度：0.5-1.5um去磷硅玻璃主要反应方程式SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O后清洗刻蚀厚度20后清洗工序控制及注意事项后清洗出来的片子，不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVD后出现脏片！工序产品单面腐蚀深度控制在0.5～1.5μm范围之内,且硅片表面刻蚀宽度不超过2mm,范围以外的必须通知当班工艺人员来做出调整。同时需要保证刻蚀边缘绝缘电阻大于1K欧姆。刻蚀槽液面的注意事项：正常情况下液面均处于绿色，如果一旦在流片过程中颜色改变，立即通知工艺人员。后清洗到PECVD的产品时间最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化，从而影响产品的电性能及效率。21产线常见的不良图片后清洗过刻四PECVDSiNx薄膜22ROTHRAU平板式PECVD23PECVD原理PlasmaEnhanceChemicalVapourDepos