电工学_7分析.ppt

B E C N N P 基极 发射极 集电极 P N P 集电极 基极 发射极 C E B 集电结 发射结 集电区 基区 发射区 多数载流子浓度高 基区薄且多数载流子浓度低 集电结面积比较大 14.5 双极型晶体管(三极管) 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏、集电结反偏 B E C iB iE iC NPN型三极管 B E C iB iE iC PNP型三极管 正常工作时 NPN型 PNP型 三极管的电路符号图 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 晶体管电流放大的实验线路 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区扩散，由于浓度低，可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 ICE 从基区发射结扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，由少子（空穴）形成反向电流ICBO。 IC=ICE+ICBO?ICE ICBO 共射极接法 3. 三极管内部载流子的运动规律 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICEO 14.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 输入特性曲线是指三极管集电极与发射极之间电压UCE一定时，基极电流IB与基极、发射极之间电压UBE之间的关系曲线，即 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB B C E 1. 输入特性 B E C N N P 基极 发射极 集电极 UBE0V，UCE=0V时，集电结和发射结均正偏，从发射区和集电区扩散来的电子（多子）与基区中不断产生的空穴复合，形成电流IB UBE0V，UCE=0.5V时，发射结正偏，加于集电结上的电压小于死区电压，此时IB主要由从发射区扩散来的电子（多子）与基区中不断产生的空穴复合形成 UBE0V，UCE?1V时，发射结正偏，集电结反偏，从发射区扩散来的电子（多子）的一小部分与基区中不断产生的空穴复合形成IB，其余电子越过集电结到达集电区 UBE一定时，UCE由0增大时，电流IB逐渐减小； UCE增大到集电结反偏后，IB不再明显减小。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 1